[发明专利]一种硅材料的制备方法及其在锂离子电池负极的应用在审
| 申请号： | 201910902698.9 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110713187A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 宋怀河;张东海;陈晓红 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 11203 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 比容量 硅材料 预产物 锂离子电池负极材料 首次放电比容量 锂离子电池材料 锂离子电池负极 首次库伦效率 放电比容量 氢氟酸处理 循环稳定性 材料制备 还原反应 熔盐体系 氧化硅 制备 盐酸 充电 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：将氧化硅硅源、还原剂和熔盐混合均匀后，在惰性气氛环境中装入高压反应釜内，在一定温度下还原若干时间得到初步产物；
步骤二：取步骤一所得的初步产物，利用盐酸、氢氟酸溶液依次进行酸洗一段时间，除去副产物及未完全反应的反应物，干燥后即可得到硅材料。
2.按照权利要求1所述一种硅材料的制备方法，其特征在于，步骤一，所用氧化硅硅源选自硅藻土、石英矿、高硅沸石与硅氧化合物的一种或者多种。
3.按照权利要求1所述一种硅材料的制备方法，其特征在于，步骤一所用还原剂有金属镁、金属铝中的一种。
4.按照权利要求1所述一种硅材料的制备方法，其特征在于，步骤一所用熔盐为无水三氯化铝、无水氯化锌中的一种。
5.按照权利要求1所述一种硅材料的制备方法，其特征在于，步骤一还原温度为200～400℃，还原时间为2～12h。
6.按照权利要求1所述一种硅材料的制备方法，其特征在于，金属还原剂与硅氧化物质量比为(1～6)：1。
7.按照权利要求1所述一种硅材料的制备方法，其特征在于，选用镁粉还原温度为200～300℃，选用铝粉还原温度为200～400℃。
8.按照权利要求1-7任一项所述的方法制备得到的多孔硅材料。
9.按照权利要求1-7任一项所述的方法制备得到的多孔硅材料应用于锂离子电池负极材料。
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