[发明专利]零部件及其封孔方法、等离子体处理装置及其工作方法

权利要求书

1.一种用于等离子体处理装置零部件的阳极氧化层的封孔方法，所述等离子体处理装置零部件还包括基底，所述阳极氧化层位于基底的表面，其特征在于，在所述阳极氧化层的表面形成热塑性高分子涂层；形成所述热塑性高分子涂层之后，对所述等离子体处理装置零部件进行加热处理，使所述热塑性高分子涂层转化为高弹态，在所述加热处理的过程中，所述阳极氧化层产生裂纹和孔隙，所述高弹态的热塑性高分子涂层流入裂纹和孔隙内。

2.如权利要求1所述的用于等离子体处理装置零部件的阳极氧化层的封孔方法，其特征在于，所述热塑性高分子涂层的材料包括：丙烯酸树脂或者环氧树脂。

3.如权利要求1所述的用于等离子体处理装置零部件的阳极氧化层的封孔方法，其特征在于，当所述等离子体处理装置零部件具有气孔时，所述阳极氧化层位于所述气孔的内侧壁；所述热塑性高分子涂层的形成方法包括：提供热塑性高分子溶液；使所述热塑性高分子溶液灌入所述气孔内，在所述阳极氧化层表面制备热塑性高分子涂层。

4.如权利要求3所述的用于等离子体处理装置零部件的阳极氧化层的封孔方法，其特征在于，所述气孔的深宽比大于等于18:1。

5.如权利要求1所述的用于等离子体处理装置零部件的阳极氧化层的封孔方法，其特征在于，所述加热处理的温度为50℃至180℃。

6.一种如权利要求1至权利要求5任一项所述用于等离子体处理装置零部件，其特征在于，包括：

基底；

阳极氧化层，覆盖在所述基底的表面，所述阳极氧化层内具有裂纹和孔隙；

热塑性高分子涂层，填充在所述裂纹和孔隙内，以及覆盖在所述阳极氧化层的表面。

7.如权利要求6所述的用于等离子体处理装置零部件，其特征在于，所述等离子体处理装置零部件包括：安装基板、气体分配板和内衬中的一种或者多种。

8.一种包含等离子体处理装置零部件的等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔，所述反应腔内为等离子体环境，所述反应腔内底部具有基座，用于承载待处理基片；如权利要求6所述的等离子体处理装置零部件，部分位于所述等离子体环境内。

9.如权利要求8所述的包含等离子体处理装置零部件的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置为电感耦合等离子体处理装置时，等离子体处理装置零部件包括内衬；所述内衬包括侧壁环和位于侧壁环顶部向外延伸的承载环，所述侧壁环内套于反应腔的内侧壁，所述承载环承载于反应腔的侧壁上。

10.如权利要求8所述的包含等离子体处理装置零部件的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置为电容耦合等离子体处理装置时，等离子体处理装置零部件包括安装基板和气体分配板；所述安装基板设置于所述反应腔的顶部；所述气体分配板设置于所述安装基板的上方。

11.如权利要求10所述的包含等离子体处理装置零部件的等离子体处理装置，其特征在于，当所述等离子体处理装置零部件为安装基板时，所述安装基板具有若干个气孔，所述气孔的内侧壁具有阳极氧化层，所述阳极氧化层内具有裂纹和孔隙；位于所述裂纹和孔隙内、以及位于所述阳极氧化层表面的热塑性高分子涂层。

12.一种等离子体处理装置的工作方法，其特征在于，包括：提供权利要求8所述的等离子体处理装置；提供待处理基片；将所述待处理基片置于基座上，对所述待处理基片的表面进行等离子体处理工艺。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置的工作方法，其特征在于，所述等离子体处理工艺的温度为：50℃-160℃。

14.如权利要求13所述的等离子体处理装置的工作方法，其特征在于，在所述等离子体处理工艺的过程中，所述阳极氧化层产生新的裂纹和孔隙，所述热塑性高分子涂层动态修复所述新的裂纹和孔隙。