[发明专利]一种顶针系统有效
申请号: | 201910903490.9 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN110504208B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 梁吉来;王云峰;郭万甲 | 申请(专利权)人: | 大连佳峰自动化股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘潇 |
地址: | 116630 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 顶针 系统 | ||
本发明公开一种顶针系统,包括顶针座、顶针冒和连接螺帽,顶针座具有第一压缩通道和第一真空通道,顶针冒具有第二压缩通道和第二真空通道,顶针冒具有压缩通孔和真空通孔,第一压缩通道通过第二压缩通道与压缩通孔相连通,第一真空通道通过第二真空通道与真空通孔相连通。本发明的顶针系统工作时,外界抽真空装置通过将第一真空通道和第二真空通道内的气体抽出,使得真空通孔处处于负压状态,从而顺利将晶圆蓝膜吸附住,在需要释放芯片时,外界压缩气源向第一压缩通道和第二压缩通道内通入压缩空气,通过压缩通孔将芯片从蓝膜上顶起。本发明的顶针系统采用真空吸附和气压顶出的方法完成动作,适用于多种型号的芯片。
技术领域
本发明涉及芯片封装及周边配套设备技术领域,特别是涉及一种顶针系统。
背景技术
芯片封装对集成电路起着重要作用,顶针系统是芯片后道封装中不可缺少的机构,顶针系统用来使晶圆上的芯片与膜脱离。现有的顶针系统是金属或塑料顶针结构,采用单针或多针对应顶起不同规格大小的芯片。顶针的上下运动依靠电机驱动,顶针冒需真空将晶圆蓝膜等吸附。
现有的顶针系统,工作对象为超薄的芯片(芯片厚度小于0.05mm)时,顶针系统对于电机顶起时的速度控制以及芯片拾取头压力的控制要求严格,控制不好很容易将芯片顶裂顶碎;当工作对象为较大的芯片(芯片长宽大于10mm)时,需要多顶针系统,多顶针系统很难确保所有的顶针工作时都在同一平面上,而且所有顶针都要保证与顶针冒上的开孔同心,这样对于设计和安装精度要求都很高,相应的生产成本也较高;加之现有的顶针系统,顶针更换时步骤繁琐,顶针座因反复固定顶针,容易损坏,多顶针系统调整多针同一平面困难,因需要反复拆卸安装,顶针与顶针冒的孔位置每次都需要确认对齐调整,操作人员工作强度大,顶针与顶针冒还会因磨损等原因,影响顶针冒的密封,导致真空漏气。
因此,如何改变现有技术中,顶针系统适用范围较小、生产效率较低的现状,是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种顶针系统,以解决上述现有技术存在的问题,使贴片封装过程中的顶针系统能够适应各种类型的芯片,提高生产效率。
为实现上述目的,本发明提供了如下方案:本发明提供一种顶针系统,包括顶针座、顶针冒和连接螺帽,所述顶针冒设置于所述顶针座的顶部,所述连接螺帽套装在所述顶针座和所述顶针冒的外部,所述连接螺帽能够固定所述顶针座和所述顶针冒的相对位置;
所述顶针座具有第一压缩通道和第一真空通道,所述第一压缩通道与外界压缩气源相连通,所述第一真空通道与外界抽真空装置相连,所述顶针冒具有第二压缩通道和第二真空通道,所述顶针冒具有作业端,所述作业端设置压缩通孔和真空通孔,所述第一压缩通道通过所述第二压缩通道与所述压缩通孔相连通,所述第一真空通道通过所述第二真空通道与所述真空通孔相连通,所述第一压缩通道与所述第二压缩通道相连通处、所述第一真空通道与所述第二真空通道相连通处均设置密封元件。
优选地,所述第一压缩通道、所述第二压缩通道均为圆柱形通道,所述第一真空通道、所述第二真空通道的径向截面均为环形。
优选地,所述顶针冒与所述顶针座插接相连,所述顶针座上设置凸台,所述第一压缩通道设置于所述凸台上,所述凸台伸入所述第二压缩通道内,所述凸台的侧壁上设置密封槽,所述密封槽内设置密封圈。
优选地,所述顶针冒具有挡环,所述连接螺帽具有挡圈,所述连接螺帽穿过所述顶针冒与所述顶针座螺纹连接,所述挡圈与所述挡环相抵接,所述挡环的外径较所述挡圈的内径大。
优选地,所述顶针座上设置定位销,所述顶针冒上设置有与所述定位销相适配的定位槽,所述顶针座与所述顶针冒相连时,所述定位销插入所述定位槽中。
优选地,所述作业端位于所述顶针冒的顶部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造