[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括：第一源极和第一漏极，分隔开第一距离；第一半导体结构，设置在第一源极和第一漏极之间；第一栅电极，设置在第一半导体结构上方；以及第一介电结构，设置在第一栅电极上方。第一介电结构具有下部和上部，上部设置在下部上方并且比下部宽。第二晶体管包括：第二源极和第二漏极，分隔开第二距离，第二距离大于第一距离；第二半导体结构，设置在第二源极和第二漏极之间；第二栅电极，设置在第二半导体结构上方；以及第二介电结构，设置在第二栅电极上方。第二介电结构和第一介电结构具有不同的材料组分。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在IC演变过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件)减小。

减小的几何尺寸导致半导体制造中的挑战。例如，随着几何尺寸继续减小，负载(例如，由于具有不同尺寸的组件)可能成为一个问题。例如，负载问题可能导致晶体管的栅极高度的过度损失。当发生这种情况时，结果是降低的器件性能或甚至器件故障。

因此，虽然现有的半导体器件及其制造对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在每个方面都已完全令人满意。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一源极组件和第一漏极组件；第一半导体结构，设置在所述第一源极组件和所述第一漏极组件之间；第一栅电极，设置在所述第一半导体结构上方；以及第一介电结构，设置在所述第一栅电极上方，其中，所述第一介电结构在截面图中具有T形轮廓。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：第一晶体管，包括：第一源极和第一漏极，分隔开第一距离；第一半导体结构，设置在所述第一源极和所述第一漏极之间；第一栅电极，设置在所述第一半导体结构上方；和第一介电结构，设置在所述第一栅电极上方，其中，所述第一介电结构具有下部和上部，所述上部设置在所述下部上方并且比所述下部宽；以及第二晶体管，包括：第二源极和第二漏极，分隔开第二距离，所述第二距离大于所述第一距离；第二半导体结构，设置在所述第二源极和所述第二漏极之间；第二栅电极，设置在所述第二半导体结构上方；和第二介电结构，设置在所述第二栅电极上方，其中，所述第二介电结构和所述第一介电结构具有不同的材料组分。

本发明的又一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在晶圆上形成第一器件和第二器件，所述第一器件包括设置在第一源极和第一漏极之间的第一半导体结构，所述第二器件包括设置在第二源极和第二漏极之间的第二半导体结构，其中，第一层间电介质(ILD)和第一间隔件限定第一开口，所述第一开口暴露所述第一半导体结构，并且其中，第二层间电介质和第二间隔件限定第二开口，所述第二开口暴露所述第二半导体结构，并且其中，将所述第一源极和所述第一漏极分隔开的第一距离小于将所述第二源极和所述第二漏极分隔开的第二距离；在所述第一器件上方和所述第二器件上方形成第一导电层，其中，所述第一导电层完全填充所述第一开口但部分地填充所述第二开口；以及在所述第一导电层上方形成第二导电层，其中，所述第二导电层部分地形成在所述第二开口中，但不形成在所述第一开口中，其中，所述第一导电层和所述第二导电层具有不同的材料组分。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是示例FinFET器件的立体图。