[发明专利]一种二值型忆阻器电路仿真器在审
申请号: | 201910904410.1 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN110765718A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 梁燕;卢振洲;杨柳;王永慧;赵晓梅 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | G06F30/36 | 分类号: | G06F30/36;G06F30/30 |
代理公司: | 33240 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 杨舟涛 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 忆阻器 电路仿真器 反相加法电路 选择积分电路 电流传输器 研究和应用 元器件连接 运算放大器 工作频率 实际电路 数字逻辑 滞回电路 乘法器 低阻态 高阻态 电容 电阻 反相 阻态 | ||
本发明公开了一种二值型忆阻器电路仿真器,本发明采用运算放大器、电流传输器、乘法器、电阻和电容组成的二值型忆阻器电路仿真器,通过选择积分电路参数来适应不同的工作频率范围。采用反相滞回电路可以实现忆阻器两个阻态的保持和切换,并可通过调节反相加法电路的参数,改变高阻态和低阻态的比例。该电路仿真器可直接与实际电路元器件连接,适用于忆阻器在数字逻辑领域的研究和应用。
技术领域
本发明涉及忆阻器电路仿真器,特别涉及一种二值型忆阻器电路仿真器,适用于忆阻器及忆阻器应用电路研究领域。
背景技术
蔡少棠教授根据缺失的磁通和电荷之间的数学关系,推测存在第四种基本电路元件忆阻器。它是一种非线性二端电路元件,可应用于非易失存储器、数字逻辑、神经网络和模拟电路设计等领域。忆阻器的高、低阻态可视为数字逻辑的“0”和“1”,它凭借独特的二值特性在数字逻辑电路和非易失存储器等领域展现出诱人的应用前景。2008年,HP实验室采用纳米结构无源元件首次给出了忆阻器的物理实现。而目前纳米尺度忆阻器仍然存在生产技术难题,低成本、高性能忆阻器仍被期待。忆阻器电路仿真器具有易实现、低成本和特性可控等优点,可广泛应用于忆阻器及忆阻应用电路研究。大多数忆阻电路仿真器基于线性漂移数学模型且不具有非易失特性。因而设计一种非易失二值型忆阻器电路仿真器是十分必要的。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术存在的问题,采用有源器件和基本电路元件,构建一种可应用于数字逻辑领域的二值型忆阻器电路仿真器。
本发明一种二值型忆阻器电路仿真器,包括第一运算放大器U1、第二运算放大器U2、第三运算放大器U3、第四运算放大器U4、第五运算放大器U5、第六运算放大器U6、第一电流传输器U7、第二电流传输器U8、第一电阻Rin、第二电阻Rsb1、第三电阻Rsb2、第四电阻Rsb3、第五电阻Rsb4、第六电阻Ri、第七电阻Rm、第八电阻R、第九电阻R1、第十电阻R2、第十一电阻R3、第十二电阻R4、第十三电阻Rw、第十四电阻Rz、电容Ci和乘法器U9;所述的乘法器U9型号为AD633;
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