[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括氧化物有源层、沿所述氧化物有源层厚度方向设置于所述氧化物有源层一侧的第一疏松层、以及设置于所述第一疏松层远离所述氧化物有源层一侧的第一氧释放层；

所述第一疏松层与所述氧化物有源层、所述第一氧释放层接触；所述第一疏松层的材料包括无机氧化物绝缘材料，所述第一氧释放层的材料为含氧绝缘材料；所述第一疏松层的折射率为1.445～1.455；所述第一氧释放层在25～350C°的氧释放量大于1E19molec./cm³。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置于所述氧化物有源层远离所述第一疏松层一侧的第二疏松层，所述第二疏松层与所述氧化物有源层接触；

所述第二疏松层的材料包括无机氧化物绝缘材料；其中，在所述氧化物有源层的侧面，所述第一疏松层和所述第二疏松层接触。

3.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置于所述第二疏松层远离所述氧化物有源层一侧的第二氧释放层，所述第二氧释放层与所述第二疏松层接触；

所述第二氧释放层的材料为含氧绝缘材料，且所述第二氧释放层在25～350C°的氧释放量大于1E19 molec./cm³。

4.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一疏松层和所述第二疏松层的材料相同，所述第一氧释放层与所述第二氧释放层的材料相同。

5.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一疏松层、所述第二疏松层、所述第一氧释放层与所述第二氧释放层的材料，包括SiO₂、Al₂O₃中的一种。

6.根据权利要求1-5任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极、源极和漏极；

在所述氧化物有源层所在区域，沿所述氧化物有源层厚度方向，所述栅极与所述第一疏松层分设于所述氧化物有源层两侧；

所述源极和所述漏极与所述氧化物有源层直接接触，或通过过孔接触。

7.根据权利要求6所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管还包括设置于所述氧化物有源层靠近所述栅极一侧的第一氮化硅层；

或者，所述氧化物薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管还包括设置于所述第一氧释放层远离所述栅极一侧的第一氮化硅层。

8.根据权利要求6所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管还包括设置于所述第一氧释放层远离所述栅极一侧的第二氮化硅层；

或者，

所述氧化物薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；所述氧化物薄膜晶体管还包括设置于所述氧化物有源层与所述源极和所述漏极之间的第二氮化硅层。

9.根据权利要求1-5任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极、源极和漏极；

沿所述氧化物有源层厚度方向，所述栅极与所述第一疏松层设置于所述氧化物有源层的同侧；

所述源极和所述漏极与所述氧化物有源层直接接触，或通过过孔接触。

10.根据权利要求9所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管还包括设置于所述栅极与所述第一氧释放层之间的第一氮化硅层；

或者，

所述氧化物薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管还包括设置于所述氧化物有源层远离所述栅极一侧的第一氮化硅层。