[发明专利]一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法

权利要求书

1.一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法，其特征在于：具体包括如下步骤：

101)上散热底座制作步骤：上散热底座包括上层和下层，在上层和下层表面都通过沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层，通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；在种子层上制作RDL；

在上层和下层的上表面都通过光刻和刻蚀工艺制作微流沟槽；其中，微流沟槽直接通过射频芯片发热点区域，或者微流沟槽均匀分布在射频芯片发热点之外的区域；

将上层和下层的上表面通过共晶键合工艺形成内部具有微流通的上散热底座；

102)散热底座制作步骤：重复步骤101)制作下散热底座，将上散热底座和下散热底座通过共晶键合工艺进行键合；其中，上散热底座和下散热底座的微流沟槽呈交叉分布的方式进行堆叠设置；

103)芯片集成步骤：在散热底座表面的相应位置处贴合射频芯片，形成三维堆叠散热模组。

2.根据权利要求1所述的一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法，其特征在于：RDL制作过程包括RDL走线和焊盘，通过沉积氧化硅或者氮化硅制作绝缘层，并通过光刻、干法刻蚀使芯片PAD露出；通过光刻，电镀工艺进行RDL走线布置，其中RDL走线采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种混合，其结构采用一层或多层结构，厚度范围为10nm到1000um；通过光刻，电镀工艺制作键合金属形成焊盘，焊盘开窗直径在10um到10000um之间。

3.根据权利要求2所述的一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法，其特征在于：在RDL表面再覆盖绝缘层，并通过开窗工艺露出焊盘。

4.根据权利要求2所述的一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法，其特征在于：绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；种子层本身结构为一层或多层结构，厚度范围都在1nm到100um，材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合；绝缘层厚度范围在10nm到1000um。

5.根据权利要求1所述的一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法，其特征在于：上层和下层都采用4、6、8、12寸晶圆中的一种，厚度范围为200um到2000um，材质采用玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯。

6.根据权利要求1所述的一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法，其特征在于：微流沟槽深度范围在10um到700um，长度范围在100um到10mm之间。

7.根据权利要求1所述的一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法，其特征在于：下散热底座的微流沟槽采用垂直分布的微流沟槽。