[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成伪栅极结构；

在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层暴露出所述伪栅极结构，且所述第一介质层表面低于或齐平于所述伪栅极结构顶部表面；

去除伪栅极结构，在所述第一介质层内形成栅极开口，在所述栅极开口内形成栅极结构；

去除所述第一介质层，暴露出所述栅极结构两侧的衬底表面；

在去除所述第一介质层之后，在所述衬底上、所述栅极结构顶部表面和侧壁表面形成停止层；

在所述停止层上形成第二介质层；

在所述第二介质层内形成插塞，所述插塞位于相邻的栅极结构之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一介质层的工艺包括回刻蚀工艺。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀工艺包括反应离子刻蚀工艺、SiCoNi刻蚀工艺或Certas刻蚀工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述停止层的工艺包括化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述停止层的材料包括氮化硅或氮氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述插塞的形成方法包括：在所述第二介质层表面形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述第二介质层，在所述第二介质层内形成初始插塞开口，所述初始插塞开口暴露出所述衬底表面的停止层；去除所述衬底表面的停止层，形成插塞开口；在所述插塞开口内形成插塞。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层的工艺包括干法刻蚀工艺。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述停止层的工艺包括干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括基底以及位于基底上的鳍部，所述基底上具有第三介质层，所述第三介质层位于所述鳍部侧壁且低于所述鳍部顶部表面；所述第一介质层位于所述第三介质层表面，所述栅极结构横跨所述鳍部且位于所述第一介质层内。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一介质层直至暴露出所述栅极结构两侧的衬底表面的方法包括：刻蚀部分所述第一介质层，直至暴露出所述栅极结构两侧的鳍部顶部表面，在所述第三介质层上、所述栅极结构部分侧壁表面以及鳍部的侧壁表面形成第四介质层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述停止层位于所述暴露出的鳍部表面、第四介质层表面以及栅极结构顶部表面和侧壁表面。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层上的功函数层以及位于功函数层上的栅极层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的形成方法包括：在所述栅极开口内形成栅介质材料层、位于栅介质材料层上的功函数材料层以及位于功函数材料层上的栅极材料层；平坦化所述栅极材料层、功函数材料层以及栅介质材料层，直至暴露出所述第一介质层表面，形成所述栅极结构。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述伪栅极结构之前，还包括：切割部分伪栅极结构。