[发明专利]一种半导体材料电阻率光学测量方法有效
| 申请号： | 201910905765.2 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110646384B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王谦;刘卫国;谭林秋 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;G01R27/02 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 电阻率 光学 测量方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体材料电阻率光学测量方法，其特征在于：所述的测量方法的步骤为：
步骤1)：将光子能量大于被测半导体的本征半导体禁带宽度的泵浦光束照射到被测半导体样品前表面，产生光致发光信号；
步骤2)：在样品前表面之前和后表面之后的位置放置信号收集装置，同时对传输到前表面和后表面的光致发光信号进行收集，经光谱分析装置获得光致发光谱，前后表面获得的光致发光谱分别记为和
步骤3)：对上述光致发光谱和进行处理计算，得到半导体材料电阻率：
按公式进行计算，并根据公式通过多项式拟合Se与波长λ的关系数据，计算得到被测半导体材料电阻率ρ， 其中，Rf和Rb分别为光致发光信号在样品前后表面的反射率，hv为泵浦光光子能量，C为常数，L为被测半导体材料厚度，α0分别为被测半导体材料对光致发光信号的本证吸收系数，q为电子电量，μ为电子或空穴的迁移率。
2.根据权利要求1所述的半导体材料电阻率光学测量方法，其特征在于：所述的信号收集装置是抛物面镜或光学透镜。
3.根据权利要求1或2所述的半导体材料电阻率光学测量方法，其特征在于：所述的光谱分析装置是单色仪和光电倍增管探测器的组合或光谱仪，且样品前后两个信号收集装置的设备型号和参数设置保持一致。
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