[发明专利]电压识别方法、存储器控制电路单元以及存储器储存装置有效

专利信息
申请号: 201910905963.9 申请日: 2019-09-24
公开(公告)号: CN112634972B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 林纬;刘安城;陈思玮;杨宇翔 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G11C16/30 分类号: G11C16/30;G11C16/24;G11C16/08
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张晓霞;臧建明
地址: 中国台湾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电压 识别 方法 存储器 控制电路 单元 以及 储存 装置
【说明书】:

发明提供一种电压识别方法、存储器控制电路单元以及存储器储存装置。所述方法包括:根据多个读取电压组中的第一读取电压组读取第一存储单元并执行第一译码操作以产生第一校验信息;根据多个区间中第一校验信息所位于的第一区间,识别前述的多个读取电压组中对应于第一区间的多个第二读取电压组;使用第二读取电压组中的第三读取电压组读取第一存储单元并执行第一译码操作。

技术领域

本发明是有关于一种电压识别方法、存储器控制电路单元以及存储器储存装置。

背景技术

数字相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如,闪存)具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

一般来说,在从可复写式非易失性存储器模块中读取数据时,存储器管理电路可以先执行硬位模式译码操作来进行译码以取得所欲读取的数据。在执行硬位模式译码操作时,可以先使用读取电压来读取存储单元并进行译码。若译码失败,存储器管理电路会重新取得另一读取电压,并用此另一读取电压来读取前述的存储单元,以重新进行译码。若又再次发生译码失败且重新取得读取电压的次数没有超过默认次数,则存储器管理电路会再重新取得其他取得电压,并且根据重新取得的读取电压读取前述的存储单元以重新进行译码。当执行重新取得读取电压的步骤的执行次数超过默认次数时,存储器管理电路可以改为执行其他的译码操作(例如,软位模式译码操作)。

特别是,前述的预设次数通常是“所有可用以重新取得的读取电压的数量”,而此数量通常较大并且会造成在改为执行其他的译码操作(例如,软位模式译码操作)前需耗费大量的时间在执行重新取得读取电压以执行读取与译码的操作中。因此,如何快速地判断哪些读取电压会发生译码失败并避免使用此些读取电压进行读取以减少硬位模式译码操作的运行时间,是本领域技术人员所欲解决的问题之一。

发明内容

本发明提供一种电压识别方法、存储器控制电路单元以及存储器储存装置,可以快速地判断哪些读取电压会发生译码失败并避免使用此些读取电压进行读取以减少硬位模式译码操作的运行时间。

本发明提出一种电压识别方法,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元,所述方法包括:根据多个读取电压组中的第一读取电压组读取所述多个存储单元中的多个第一存储单元并执行第一译码操作以产生第一校验信息;根据多个区间(interval)中所述第一校验信息所位于的第一区间,识别所述多个读取电压组中对应于所述第一区间的多个第二读取电压组;以及使用所述多个第二读取电压组中的第三读取电压组读取所述多个第一存储单元并执行所述第一译码操作。

在本发明的一实施例中,识别所述多个读取电压组中对应于所述第一区间的所述多个第二读取电压组的步骤包括:根据所述多个区间中所述第一校验信息所位于的所述第一区间,识别所述多个读取电压组中不被用来读取所述多个第一存储单元的多个第四读取电压组。

在本发明的一实施例中,根据所述多个读取电压组中的所述第一读取电压组读取所述多个存储单元中的所述多个第一存储单元并执行所述第一译码操作以产生所述第一校验信息的步骤之前,所述方法还包括:对所述多个读取电压组中的每一个读取电压组储存校验信息查找表,其中所述校验信息查找表用以记录所述校验信息查找表所属的读取电压组在所述多个区间中的每一个区间所对应的所述多个读取电压组中的多个第一类读取电压组以及多个第二类读取电压组。

在本发明的一实施例中,所述校验信息查找表用以记录对应于所述多个区间中的每一个区间的位序列,在所述位序列中对应于所述多个第一类读取电压组的多个位分别被设定为第一位数值,且在所述位序列中对应于所述多个第二类读取电压组的多个位分别被设定为第二位数值。

在本发明的一实施例中,所述多个第一类读取电压组的至少其中之一被用以执行读取操作,且所述多个第二类读取电压组不会被用以执行所述读取操作。

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