[发明专利]一种存储单元、NAND闪存架构及其形成方法

说明书

本发明提供了一种存储单元，包括多个存储结构，存储结构包括：第一介质层、位于第一介质层上的第一浮栅层、位于第一浮栅层上的第二介质层、位于第二介质层上的第二浮栅层、位于第二浮栅层上的第三介质层以及位于第三介质层上的控制栅层；本发明还提供了一种NAND闪存架构，包括：基底、位于基底上存储单元、选择管区、金属孔区和浅沟槽隔离，选择管区位于存储单元的外围、金属孔区位于选择管区的外围，浅沟槽隔离隔离所述存储单元与选择管区以及选择管区与金属孔区。本发明所提供的NAND闪存架构中的存储单元成数量级增加，从而有效的改善了现有技术中闪存容量不足等问题。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种存储单元、NAND闪存架构及其形成方法。

背景技术

NAND闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是使用NAND型闪存。NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND闪存成为极具吸引力的产品。

如图1所示，现有的NAND闪存通过控制控制栅及衬底的电压改变浮栅层中存储的电子数，以改变single cell(存储单元)的VT(阈值电压)，从而形成SLC、MLC甚至TLC的NAND闪存架构。但目前的NAND闪存架构的single cell(存储单元)数量相对较少，在实际运用中可能会出现闪存容量不足等问题，因此有必要提供一种新的NAND闪存架构，以改善现有技术中闪存容量不足等问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储单元、NAND闪存架构及其形成方法，使闪存架构中的存储单元成数量级增加，以改善现有技术中闪存容量不足等问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种存储单元，包括多个存储结构，所述存储结构包括：第一介质层、位于所述第一介质层上的第一浮栅层、位于所述第一浮栅层上的第二介质层、位于所述第二介质层上的第二浮栅层、位于所述第二浮栅层上的第三介质层以及位于所述第三介质层上的控制栅层。

可选的，在所述的存储单元中，所述第一浮栅层的厚度小于所述第二浮栅层的厚度。

可选的，在所述的存储单元中，多个所述存储结构之间通过浅沟槽隔离进行隔离。

本发明还提供了一种NAND闪存架构，包括：

基底、位于所述基底上的存储单元、选择管区、金属孔区和浅沟槽隔离，所述选择管区位于所述存储单元的外围，所述金属孔区位于所述选择管区的外围，所述浅沟槽隔离隔离所述存储单元与所述选择管区以及所述选择管区与所述金属孔区。

可选的，在所述的NAND闪存架构中，所述选择管区包括多个选择管，所述选择管包括：位于所述基底上的第一介质层、位于所述第一介质层上的第一浮栅层、位于所述第一浮栅层上的第二浮栅层、位于所述第二浮栅层上的控制栅层，所述第一浮栅层和所述第二浮栅层通过所述第二介质层部分隔离，所述控制栅层嵌入所述第二浮栅层。

可选的，在所述的NAND闪存架构中，所述金属孔区包括多个填充有金属的金属孔，所述金属孔与所述基底连接。

可选的，在所述的NAND闪存架构中，所述填充金属包括钨。

相应地，还提供了一种NAND闪存架构的形成方法，包括以下步骤：

提供一基底，在所述基底上依次沉积第一介质层、第一浮栅层、第二介质层、第二浮栅层、第三介质层以及控制栅层；

刻蚀所述控制栅层、第三介质层、第二浮栅层、第二介质层和第一浮栅层形成存储单元。

可选的，所述的NAND闪存架构的形成方法中，所述NAND闪存架构的形成方法还包括：形成位于所述存储单元外围的选择管。