[发明专利]复合式基板的制造方法有效
申请号: | 201910906376.1 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN112624786B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 曾继立;李茂昌;萧明阳;叶自立 | 申请(专利权)人: | 佳总兴业股份有限公司 |
主分类号: | C04B37/02 | 分类号: | C04B37/02 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 马鑫 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 式基板 制造 方法 | ||
1.一种复合式基板的制造方法,其特征在于,包含有下列步骤:
将铜箔的表面进行清洗,去除表面油污或污垢;清洗完毕后,于铜箔表面设置遮蔽区;
以pH小于3的药水对铜箔表面进行处理,让铜箔表面受药水蚀刻粗糙化以及于铜箔表面形成有碎石状微观结构的有机金属复合物的氧化铜膜层,氧化铜膜层不会形成于遮蔽区,使氧化铜膜层内形成有逃气空间;
将铜箔的氧化铜膜层与陶瓷基板表面贴合,并将铜箔加热至共晶温度,使铜箔与其表面的氧化铜膜层产生共晶反应,进而键合铜箔与陶瓷基板。
2.如权利要求1所述的复合式基板的制造方法,其特征在于,该药水至少包含有含量介于2%~20%重量比的过氧化氢、2%~20%重量比的硫酸以及0.5%~5%重量比的含氮杂环化合物的促进剂,促进剂是用以增强氧化铜膜层结合力。
3.如权利要求2所述的复合式基板的制造方法,其特征在于,该促进剂含有烷基、苯基、氨基或羟基。
4.如权利要求1所述的复合式基板的制造方法,其特征在于,该陶瓷基板为氮化铝陶瓷基板、氧化铝陶瓷基板或氮化硅陶瓷基板。
5.如权利要求1所述的复合式基板的制造方法,其特征在于,该铜箔表面的遮蔽区为复数设置。
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