[发明专利]阵列式高能弹性波消减及均化构件残余应力装置及方法

权利要求书

1.一种阵列式高能弹性波消减及均化构件残余应力装置，其特征在于，包括：

由至少两个分体纵切面拼接而成的筒体结构，所述筒体结构环绕待调控构件设置，其侧壁沿周向设有多个第一通孔并形成阵列排布，所述筒体结构的外部设置有压紧于其外表面的压紧装置；

所述第一通孔处嵌装有激励楔块，所述激励楔块朝向所述筒体结构内侧的端面与所述待调控构件表面耦合贴紧，其朝向所述第一通孔的端面为连接部，所述连接部具有凹面及于所述凹面中心凸设的连接柱；

至少部分所述激励楔块对应连接有激励器，所述激励器的发射端与所述连接部的所述凹面及所述连接柱通过耦合剂耦合，所述发射端中心具有与所述连接柱连接的盲孔，所述激励器发射端的轴线与所述待调控构件对应贴紧处表面的法线重合；及

与各所述激励器电连接的多通道信号功率放大器，用于保真放大发射信号及接收信号；及与所述多通道信号功率放大器电连接的多通道激励控制模块，用以控制所述激励器输出所述发射信号及获取所述接收信号；

相邻两个所述分体间留有间距；

所述压紧装置包括至少两组压紧支架及螺栓，所述压紧支架朝向所述筒体结构外壁的侧边设有多个与所述螺栓匹配连接的螺孔，使所述压紧支架压紧所述筒体结构；

所述筒体结构设置于操作平台上，所述压紧支架为直角支架，其一直角边设有与所述螺栓匹配连接的所述螺孔，且所述直角边朝向所述筒体结构设置，其另一直角边支撑固定连接于所述操作平台；

多组所述压紧支架环绕所述筒体结构均匀设置；和/或

所述筒体结构的多个所述分体彼此呈中心对称设置。

2.根据权利要求1所述的消减及均化构件残余应力装置，其特征在于，所述连接部为外沿凸起内部凹陷的结构，所述外沿环绕所述第一通孔的外周设置，且所述外沿均匀设有多个第二通孔，以通过连接件将所述激励楔块固定连接于所述筒体结构内壁。

3.根据权利要求1所述的消减及均化构件残余应力装置，其特征在于，所述激励楔块朝向所述待调控构件的端面弧度和与之对应耦合贴紧的所述待调控构件的表面弧度相同。

4.根据权利要求1所述的消减及均化构件残余应力装置，其特征在于，于所述激励楔块朝向所述筒体结构内侧的端面与所述待调控构件表面之间设置有采用高温润滑脂材料的耦合剂；和/或

于所述激励器的发射端与所述连接部的凹面之间设置有采用高温润滑脂材料的耦合剂。

5.根据权利要求1所述的消减及均化构件残余应力装置，其特征在于，各所述激励器的声波频率大于0.1kHz ；和/或

各所述激励器的声波功率大于0.1W。

6.一种阵列式高能弹性波消减及均化构件残余应力方法，其特征在于，基于权利要求1-5中任一项所述的阵列式高能弹性波消减及均化构件残余应力装置，其方法包括以下步骤：

步骤S1，将经过残余应力大小及分布预先检测的待调控构件安放于操作平台上；

步骤S2，根据所述待调控构件的所述预先检测结果，对应所述待调控构件的各调控区域选择各所述第一通孔，及选择对应的各所述激励器，并将与之对应的各所述激励楔块安装于所述筒体结构的各所述第一通孔处；

步骤S3，将所述筒体结构环绕所述待调控构件设置，并将所述激励楔块朝向所述待调控构件的端面与所述待调控构件的对应调控区域的表面耦合贴紧，并通过所述压紧装置将其压紧；

步骤S4，将与所述待调控构件的对应调控区域对应的所述激励器的发射端耦合连接于与之对应的所述激励楔块的连接部上；

步骤S5，将所述多通道信号功率放大器的各通道和与之对应的各所述激励器对应连接，将所述多通道激励控制模块的各通道与所述多通道信号功率放大器的各通道对应连接；

步骤S6，将所述多通道激励控制模块、所述多通道信号功率放大器及各所述激励器通电启动；

步骤S7，调控工作结束后，将所述多通道激励控制模块、所述多通道信号功率放大器及各所述激励器断电停止工作，并解除所述压紧装置的压紧，将调控后的构件取出。