[发明专利]碳化钛纳米片/碳纳米管电磁屏蔽薄膜及其制备方法

权利要求书

1.碳化钛纳米片/碳纳米管电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)以碳化钛铝块体为原料，采用化学刻蚀法制备碳化钛纳米片粉末，并分散在溶剂中；

步骤1)中，化学刻蚀所用试剂为HF、LiF/HCl、NaOH、KOH、TMAOH，碳化钛纳米片分散液进行多次高速离心分离出上层溶液，离心转速为3000-10000rpm，离心分离的溶液通过真空抽滤、冻干得到粉末状碳化钛纳米片，其中单个纳米片尺寸为50nm-50μm；

再将碳化钛纳米片粉末定量分散在不同的溶剂中，所述溶剂选自H₂O、DMSO、NMP，分散液浓度为0.01-100mg/mL；

2)以自支撑的碳纳米管薄膜为工作电极，上述步骤1)制备得到的碳化钛纳米片基分散液为电解液，进行电泳沉积，制备得到碳化钛纳米片/碳纳米管复合薄膜，其中，碳化钛纳米片均匀分散在碳纳米管网络中；作为工作电极的碳纳米管薄膜为抽滤、涂布、化学气相沉积方法制备的自支撑薄膜，其厚度为5μm-5mm，电泳沉积使用的直流电电压为1-100V，电泳时长为1-480min，工作电极与对电极之间的间距为1-10cm；

3)对碳化钛纳米片/碳纳米管复合薄膜进行后续处理，包括退火处理、辊压、致密化处理。

2.如权利要求1所述的碳化钛纳米片/碳纳米管电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：步骤3)中，对复合薄膜进行退火处理及致密化处理以调控薄膜的电导率及密度。

3.如权利要求2所述的碳化钛纳米片/碳纳米管电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：退火使用的气氛为氮气、氩气或氩氢混合气，混合气中氢气比例为10-90％，退火温度为200-800℃，退火时长为2-12h，致密化处理的压缩比例为0.1-0.8。

4.权利要求1-3中任一项所述的制备方法所制备得到的碳化钛纳米片/碳纳米管复合薄膜，其特征在于：

所述碳化钛纳米片/碳纳米管复合薄膜其厚度、电导率、电磁屏蔽性能可控；厚度范围是5μm-5mm；电磁屏蔽性能范围是10-80dB。