[发明专利]红外穿透复合膜、含该红外穿透复合膜的封装膜以及该封装膜的制备方法及使用方法

权利要求书

1.含红外穿透复合膜的封装膜，其特征是：

该封装膜为多层结构，依次包括离型层(100)、红外穿透复合膜层(200)、抗静电UV粘合层(300)、TPU胶层(400)；

所述红外穿透复合膜层(200)成分包含环氧树脂、增韧剂、填料、固化剂、改质石墨烯/多壁纳米碳管复合材料；

所述改质石墨烯/多壁纳米碳管复合材料为改质多壁纳米碳管和改质石墨烯混合获得；

所述改质多壁纳米碳管是将多壁纳米碳管经酸化后以硅烷偶合剂改质获得；

所述改质石墨烯是将石墨烯经酸化后以硅烷偶合剂改质获得。

2.如权利要求1所述的封装膜，其特征是：

所述改质多壁纳米碳管以氨基硅烷偶合剂改质。

3.如权利要求1所述的封装膜，其特征是：

所述改质石墨烯以环氧基硅烷偶合剂进行改质。

4.如权利要求1所述的封装膜，其特征是：

改质石墨烯/多壁纳米碳管复合材料中改质多壁纳米碳管及改质石墨烯的质量比为6:1～1:6。

5.如权利要求1所述的封装膜，其特征是：

所述红外穿透复合膜层(200)预切有与晶圆匹配的切割道(500)，且红外穿透复合膜层(200)部分或全部嵌入抗静电UV粘合层(300)内。

6.权利要求1所述封装膜的制备方法，其特征是，包括步骤：

(1)提供一离型层(100)；

(2)将红外穿透复合膜的浆料涂布于所述离型层(100)之可剥离面上，形成湿膜，经烘烤即在离型层(100)上形成红外穿透复合膜层(200)；

(3)提供包括一抗静电UV粘合层(300)和一TPU胶层(400)的切割胶带；

(4)将红外穿透复合膜层(200)层压于切割胶带的抗静电UV粘合层(300)上。

7.权利要求5所述封装膜的制备方法，其特征是，包括步骤：

(1)提供一离型层(100)；

(2)将红外穿透复合膜的浆料涂布于所述离型层(100)之可剥离面上，形成湿膜，经烘烤即在离型层(100)上形成红外穿透复合膜层(200)；

(3)对红外穿透复合膜层(200)进行预切，在红外穿透复合膜层(200)上形成和晶圆一致的切割道(500)；

(4)提供包括一抗静电UV粘合层(300)和一TPU胶层(400)的切割胶带；

(5)将红外穿透复合膜层(200)层压于切割胶带的抗静电UV粘合层(300)上。

8.权利要求1～5中任一项所述封装膜的使用方法，其特征是：

首先，除去离型层(100)，将红外穿透复合膜层(200)粘附到晶圆背面；

接着，从晶圆正面进行切割；

然后，通过紫外光固化方式使抗静电UV粘合层(300)固化，从而分离出抗静电UV粘合层(300)和TPU胶层(400)，即获得仅附着有红外穿透复合膜层(200)的芯片。