[发明专利]电致发光器件及显示装置

说明书

本申请涉及电致发光器件及显示装置，其中电致发光器件包括阳极层、发光层、受体材料层和阴极层，发光层设于阳极层和阴极层之间，受体材料层位于发光层和阴极层之间，且发光层和受体材料层彼此接触；受体材料层主要由中含有具有吸电子能力的受体材料，发光层包含相互混合的量子点材料和具有供电子能力的给体材料，且发光层中的给体材料和受体材料层中的受体材料形成激基复合物。该电致发光器件能够有效避免或减少了空穴和电子直接注入量子点材料而形成的空穴与电子数量不平衡的问题，进而提高QLED器件的发光效率与稳定性。

技术领域

本申请涉及电子显示技术领域，特别涉及一种电致发光器件及显示装置。

背景技术

量子点是能够发光的纳米级半导体晶体，由于量子点尺寸极小，载流子的运动受到限制，量子限制效应特别显著。当量子点受到光或电的激励时，将会发出明亮的有光谱纯色的可见光。相比于OLED，QLED具有很多潜在的优势：(1)可不改变器件结构，仅改变量子点的尺寸来实现色彩的调控；(2)QLED制作过程中不需要使用荫罩，量子点发光层可以通过溶液旋涂、转印或喷墨打印等集成到LED中，生产成本较低；(3)量子点材料是无机半导体材料，相对于有机材料，不易受到水氧的影响，性能更稳定。因此，目前，量子点电致发光器件越来越受到研究者的青睐。

目前QLED主要的发光机理分为注入型发光和能量转移发光，而大多数的QLED器件主要以注入型发光为主，这种注入型发光由于空穴和电子注入到量子点层存在的能级势垒具有较大的差异，量子点层中的空穴与电子数量不平衡，由此导致材料的不稳定和失效，从而影响器件的发光效率和寿命，无法满足产业化需求，故而需要进一步提高器件的发光效率和寿命。

发明内容

基于此，有必要提供一种电致发光器件及显示装置。该电致发光器件能够有效避免或减少了空穴和电子直接注入量子点材料而形成的空穴与电子数量不平衡的问题，进而提高QLED器件的发光效率与稳定性。

一种电致发光器件，包括阳极层、发光层、受体材料层和阴极层，所述发光层设于所述阳极层和所述阴极层之间，所述受体材料层位于所述发光层和所述阴极层之间，且所述受体材料层和所述发光层彼此接触；

所述受体材料层中含有具有吸电子能力的受体材料，所述发光层包含由混合的量子点材料和具有供电子能力的给体材料，且所述发光层中的给体材料和所述受体材料层中的受体材料形成激基复合物。

在其中一实施例中，在所述发光层中，所述量子点材料的质量百分含量为1％-99％。

在其中一实施例中，所述激基复合物的发射光谱与所述发光层中的所述量子点材料的吸收光谱至少部分重叠。

在其中一实施例中，所述激基复合物的发射峰值波长短于所述量子点材料的发射峰值波长；和/或

所述激基复合物的激发态寿命长于所述量子点材料的激发态寿命。

在其中一实施例中，所述量子点材料的激发态寿命在1-100ns的范围内，所述激基复合物的激发态的寿命在1μs-100μs的范围内。

在其中一实施例中，形成所述激基复合物的给体材料与受体材料之间存在能级交错。

在其中一实施例中，所述给体材料和所述受体材料的HOMO能级差大于0.4eV；和/或

所述给体材料和所述受体材料的LUMO能级差大于0.4eV。

在其中一实施例中，所述给体材料的三线态能级高于所述激基复合物的三线态能级；和/或

所述受体材料的三线态能级高于所述激基复合物的三线态能级。