[发明专利]自对准侧墙工艺核心层的实现方法在审
| 申请号： | 201910907365.5 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110634734A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 巨晓华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 核心层 侧墙 刻蚀 芯模 自对准侧墙 牺牲层 掩膜 表面平整 距离相等 上大下小 芯模顶端 不一致 圆角 相等 平整 | ||
1.一种自对准侧墙工艺核心层的实现方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成牺牲层和核心层；
刻蚀所述核心层形成上大下小并且表面平整的芯模；
形成位于所述芯模两侧的侧墙；
以所述侧墙为掩膜刻蚀所述牺牲层和部分所述衬底，刻蚀后的所述衬底形成的多个凹槽，多个所述凹槽的深度相同。
2.如权利要求1所述的自对准侧墙工艺核心层的实现方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅。
3.如权利要求1所述的自对准侧墙工艺核心层的实现方法，其特征在于，形成位于所述芯模两侧的侧墙后，所述自对准侧墙工艺核心层的实现方法还包括：去除所述芯模。
4.如权利要求3所述的自对准侧墙工艺核心层的实现方法，其特征在于，去除所述芯模后，所述自对准侧墙工艺核心层的实现方法还包括：去除刻蚀后的所述牺牲层。
5.如权利要求1所述的自对准侧墙工艺核心层的实现方法，其特征在于，所述核心层的材料为掺杂多晶硅。
6.如权利要求1所述的自对准侧墙工艺核心层的实现方法，其特征在于，所述芯模为多个，每个所述芯模两侧的侧墙对称。
7.如权利要求1所述的自对准侧墙工艺核心层的实现方法，其特征在于，形成芯模的方法包括：在所述核心层上使用光刻胶遮挡，并且使用干法刻蚀形成上大下小类似喷泉形状的芯模。
8.如权利要求1所述的自对准侧墙工艺核心层的实现方法，其特征在于，形成侧墙的方法包括：在所述芯模上沉积一层氮化硅，刻蚀氮化硅露出所述芯模的表面形成位于所述芯模两侧的侧墙，同时，刻蚀所述芯模之间的氮化硅露出牺牲层表面使得相邻的芯模的侧墙之间有一定的距离。
9.如权利要求3所述的自对准侧墙工艺核心层的实现方法，其特征在于，去除芯模后多个侧墙的形状相同，多个侧墙之间的距离相等。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
