[发明专利]半导体电磁屏蔽结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，包括：

基板，其具有呈相对的第一表面和第二表面，所述基板的内部设有电路连接结构；

至少两个半导体器件，其设置在所述第二表面上，相邻的每两个所述半导体器件之间具有装配间隔，所述半导体器件与所述电路连接结构电连接；

封装层，其至少覆盖在所述半导体器件和第二表面上，所述封装层上设有从其与所述第二表面相对的表面向内延伸、且至少部分位于所述装配间隔处的填充缝隙，所述填充缝隙在所述装配间隔中的部分沿着所述装配间隔延伸，以隔开相邻的两个所述半导体器件；

电磁屏蔽层，其包括填充在所述填充缝隙中的第一屏蔽层和覆盖在所述封装层的表面上的第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层连接成一体。

2.根据权利要求1所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述第一屏蔽层通过在所述填充缝隙中填充银而成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述第二屏蔽层通过在所述封装层的表面上溅镀镍而成。

4.根据权利要求1所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述第二屏蔽层包括在所述封装层的表面上通过溅镀而成的内屏蔽层和在所述内屏蔽层的表面上通过电镀而成的外屏蔽层。

5.根据权利要求4所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述内屏蔽层的材料为镍，所述外屏蔽层的材料为银。

6.根据权利要求5所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述内屏蔽层的厚度为3～5μm，所述外屏蔽层的厚度为0.5～1μm。

7.根据权利要求1或2所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述填充缝隙的截面形状呈T字型。

8.根据权利要求1或2所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述填充缝隙包括位于所述装配间隔处的间隔部和沿所述半导体器件的周向其余部分延伸的包围部，所述间隔部与包围部连通，以形成环绕所述半导体器件的环形结构。

9.根据权利要求1或2所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述封装层由环氧树脂制成。

10.一种半导体电磁屏蔽结构的制作方法，其特征在于，包括：

步骤一、提供半导体模块，所述半导体模块包括基板、至少两个半导体器件和封装层，其中，所述基板具有呈相对的第一表面和第二表面，并且内部形成电路连接结构；所述至少两个半导体器件贴装在所述第二表面上，相邻的每两个所述半导体器件之间具有装配间隔，所述半导体器件与所述电路连接结构电连接；所述封装层至少覆盖在所述半导体器件和第二表面上；

步骤二、在所述封装层上形成从其与所述第二表面相对的表面向内延伸、且至少部分位于所述装配间隔处的填充缝隙，所述填充缝隙在所述装配间隔中的部分沿着所述装配间隔延伸，以隔开相邻的两个所述半导体器件；

步骤三、在所述填充缝隙中填充第一金属材料以形成第一屏蔽层，和在所述封装层的表面上溅镀第二金属材料以形成第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层连接成一体。