[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201910907490.6 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN110600521B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 侯文军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 面板 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置,涉及显示技术领域,用于解决成膜均匀性较低的问题。一种显示基板,包括:衬底、设置在所述衬底上显示区中的多个发光单元;至少一个所述发光单元中的发光层采用喷墨打印工艺制成,且该发光层沿垂直于所述衬底的厚度方向的截面的边缘上的每一个点到该截面中心的距离大致相等。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置相对于液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)装置具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是当下显示产品追求采用的热点。
OLED显示装置中的成膜工艺主要包括真空蒸镀和溶液制程。真空蒸镀适用于有机小分子材料,其成膜均匀好、技术相对成熟,但设备成本较高、材料利用率较低,且在生产大出光面的面积的显示装置时,掩膜板的对位精度较低,量产较困难。而溶液制程包括例如旋涂法、喷墨打印法、喷嘴涂覆法等,适用于聚合物材料和可溶性小分子材料,其生产设备成本较低,相比于真空蒸镀,在大规模、大出光面的面积生产上优势突出,但却受到成膜的设备精度的限制,导致成膜均匀性较低,使得显示装置的分辨率降低。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置,用于解决成膜均匀性较低的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种显示基板,包括:衬底、设置在所述衬底上显示区中的多个发光单元;至少一个所述发光单元中的发光层采用喷墨打印工艺制成,且该发光层沿垂直于所述衬底的厚度方向的截面的边缘上的每一个点到该截面中心的距离大致相等。
可选的,多个所述发光单元包括第一颜色发光单元、第二颜色发光单元以及第三颜色发光单元,第一颜色、第二颜色、第三颜色为三基色;所述第一颜色发光单元和所述第二颜色发光单元的出光面的面积小于等于所述第三颜色发光单元的出光面的面积,且至少所述第一颜色发光单元和所述第二颜色发光单元中的一者,沿垂直于所述衬底的厚度方向的截面均呈圆形或者正N边形,其中N为大于等于4的正整数。
可选的,所述第一颜色发光单元和所述第二颜色发光单元位于所述第三颜色发光单元的外轮廓所限定的范围内;所述第一颜色发光单元、所述第二颜色发光单元和所述第三颜色发光单元在所述衬底上的正投影均不交叠。
可选的,所述第一颜色发光单元和所述第二颜色发光单元,沿垂直于所述衬底的厚度方向的截面均呈圆形或者正N边形。
可选的,所述第一颜色发光单元包括第一发光层;所述第二颜色发光单元包括第二发光层;所述第三颜色发光单元包括第三发光层;在所述第一颜色发光单元和所述第二颜色发光单元位于所述第三颜色发光单元的外轮廓所限定的范围内的情况下,所述第三发光层覆盖所述显示区,且位于所述第一颜色发光单元中的所述第三发光层的部分设置在所述第一发光层的远离所述衬底的一侧,位于所述第二颜色发光单元中的所述第三发光层的部分设置在所述第二发光层的远离所述衬底的一侧。
可选的,所述第一颜色为红色,所述第二颜色为绿色,所述第三颜色为蓝色。
可选的,所述第三颜色发光单元还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层;所述电子注入层位于所述第三发光层远离所述衬底的一侧;所述电子传输层位于所述第三发光层和所述电子注入层之间;所述空穴传输层位于所述第三发光层靠近所述衬底的一侧;所述空穴注入层位于所述空穴传输层和所述衬底之间;所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子传输层、所述电子注入层均覆盖所述显示区。
可选的,所述第一颜色发光单元的面积小于所述第二颜色发光单元的面积,所述第二颜色发光单元的面积小于所述第三颜色发光单元的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的