[发明专利]用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构有效
| 申请号： | 201910907575.4 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110767802B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 马平;童浩;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 相变 存储器 单元 电极 配置 结构 | ||
1.一种用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其特征在于：
所述电极配置结构(100)包括上层电极材料层(120)、中间相变材料层(130)、下层电极材料层(140)；
所述上层电极材料层(120)包括外环电极(122)和内部源端电极(124)，所述内部源端电极(124)位于所述外环电极(122)中，两者之间具有环形槽；
所述上层电极材料层(120)和下层电极材料层(140)为非对称上下电极结构，水平投影为相交关系；所述下层电极材料层(140)的侧方、所述中间相变材料层(130)的下方配置有绝缘介质保护层(150)；
在水平工作状态下，所述内部源端电极(124)接源端，所述外环电极(122)接漏端，所述下层电极材料层(140)接高电位；
在垂直工作状态下，所述内部源端电极(124)接源端，所述外环电极(122)接高电位，所述下层电极材料层(140)接漏端。
2.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其特征在于：
所述上层电极材料层(120)和下层电极材料层(140)不是基于同一次光刻工序形成的。
3.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其特征在于：
所述外环电极(122)和内部源端电极(124)是基于同一次光刻工序形成的，采用相同的材料。
4.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其特征在于：
所述上层电极材料层(120)之上设置绝缘介质保护层。
5.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其特征在于：
所述上层电极材料层(120)之上不设置绝缘介质保护层。
6.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其特征在于：
所述上层电极材料层(120)和/或下层电极材料层(140)与所述中间相变材料层(130)之间设置金属粘附层或电极匹配层。
7.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其特征在于：
所述上层电极材料层(120)和/或下层电极材料层(140)与所述中间相变材料层(130)直接接触、不设置金属粘附层或电极匹配层。
8.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其特征在于：
所述上层电极材料层(120)的侧方、所述中间相变材料层(130)的上方配置有绝缘介质保护层(150)。
9.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其特征在于：
所述上层电极材料层(120)的侧方、所述中间相变材料层(130)的上方不配置绝缘介质保护层(150)。
10.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其特征在于：
所述中间相变材料层(130)采用硫系化合物或非硫系的Ge-Sb系列相变材料。
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