[发明专利]一种氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺

权利要求书

1.一种氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，包括对基片逐步进行光刻桥墩、清洗、溅射钛金金属层、光刻桥面、电镀、去胶、腐蚀钛金金属层、二次去胶，其特征在于，所述的腐蚀钛金金属层工序包括：将基片置于腐蚀液A中腐蚀金，然后冲洗、烘干后，再将基片置于腐蚀液B中进行腐蚀钛，腐蚀液A或腐蚀液B腐蚀时，基片振动频率15-30次/分钟，腐蚀时间55-60s，控制环境温度为22±2℃、湿度为55±5％RH；

所述金属腐蚀液A按照碘：碘化钾：异丙醇：纯水＝1:1:3:2的质量比配制；所述的腐蚀液B按照氢氟酸、质量分数30-60％的双氧水、水＝1:1:10的质量比配制。

2.根据权利要求1所述的氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，其特征在于，腐蚀钛金金属层工序后，二次去胶工序前将基片用高纯水冲洗、60-70℃的热氮气烘干。

3.根据权利要求1所述的氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，其特征在于，光刻桥墩工序包括在基片上旋涂光刻正胶，在基片表面上定位桥墩图形，然后通过曝光将桥墩图形转移到光刻正胶上。

4.根据权利要求1所述的氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，其特征在于，清洗工序包括对光刻桥墩所在的区域逐步进行有机清洗和SPM清洗；有机清洗工序包括先泡到丙酮清洗5-10min，再泡到异丙醇中进行清洗5-10min，SPM清洗是泡入按照浓硫酸：双氧水：水＝1:1:3配置的溶液中清洗。

5.根据权利要求4所述的氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，其特征在于，所述浓硫酸为质量分数为70-98％的硫酸，所述双氧水为质量分数为30-60％的过氧化氢溶液。

6.根据权利要求1所述的氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，其特征在于，溅射钛金金属层工序包括在经过清洗的基片表面溅射厚度的钛和的金。

7.根据权利要求1所述的氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，其特征在于，光刻桥面工序包括在溅射的钛金金属层上涂覆光刻负胶，再在光刻负胶上光刻出电镀区域。

8.根据权利要求1所述的氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，其特征在于，电镀工序包括在电镀区域电镀淀积1 .0-2 .0μm钛和1 .0-2 .0μm的金。

9.根据权利要求1所述的氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，其特征在于，去胶工序包括将经过电镀的基片浸泡于丙酮中，加热至77-80℃，振动50-60s，振动频率30-60次/分钟。

10.根据权利要求1所述的氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，其特征在于，二次去胶工序包括将经过腐蚀钛金金属层的基片浸泡于丙酮中，加热至77-80℃，振动50-60s，振动频率30-60次/分钟。