[发明专利]调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法

权利要求书

1.一种调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法，该方法包括：

获取当前待曝光硅片的形貌图，得到硅片表面高度分布信息数据；

根据硅片表面高度分布信息数据计算当前硅片局部翘曲度；

根据计算出的当前硅片局部翘曲度计算硅片表面局部吸附载荷；以及

根据计算出的硅片表面局部吸附载荷调整硅片表面吸点吸力大小；

所述根据计算出的硅片表面局部吸附载荷调整硅片表面吸点吸力大小是基于吸孔密集化分布且局部或单一吸孔独立可控的吸盘实现的；

根据计算出的硅片表面位置的局部吸附载荷调整与该位置接触的吸孔密集化分布且局部或单一吸孔独立可控的吸盘上的吸孔的吸力大小，使吸力大小等于局部吸附载荷的大小，进而实现对硅片的弯曲程度的调整；

将在高度测量坐标系中采集的硅片表面高度分布信息数据h(x',y')转换到(X,Y,Z)坐标系中，(x,y)^T＝R·(x',y')^T，这里R为坐标变换矩阵，坐标变换矩阵由高度测量坐标系和(X,Y,Z)坐标系的相对位置决定；

计算出在当前坐标系下硅片表面距(XY)平面的高度z，也就是硅片的弯曲度数据w(x,y)，即z＝w(x,y)；

所述根据计算出的当前硅片局部翘曲度计算硅片表面局部吸附载荷，是采用以下公式实现：

其中，E为硅片弹性模量，ν为硅片泊松比，t为硅片厚度，为4阶微分算子。

2.根据权利要求1所述的调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法，其特征在于，所述硅片表面高度分布信息数据是外部传感器通过检测当前待曝光硅片的表面形貌图得到的。

3.根据权利要求1所述的调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法，其特征在于，所述硅片表面高度分布信息数据位于高度测量坐标系中。

4.根据权利要求1所述的调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法，其特征在于，所述(X,Y,Z)坐标系以待曝光的硅片中面，即硅片厚度的一半处为参考平面(X,Y)，Z轴垂直于参考平面为水平面(X,Y)向下。

5.根据权利要求1所述的调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法，其特征在于，所述吸孔密集化分布且局部或单一吸孔独立可控的吸盘，其局部或单一吸孔的真空度可独立控制。

6.根据权利要求1所述的调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法，其特征在于，所述吸孔密集化分布且局部或单一吸孔独立可控的吸盘，其吸孔为径向或正交分布，孔间距不大于10mm。