[发明专利]利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法及HEMT器件

权利要求书

1.一种利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，其步骤包括：

(1)在GaN基HEMT器件的AlGaN/GaN基片表面生长一层InN保护层；

(2)在InN保护层上旋涂一层光刻胶，将保护栅部位的图形转移到光刻胶上，然后以光刻胶作为掩膜，将栅以外的InN保护层去除；

(3)使用PECVD的方法在AlGaN/GaN基片表面沉积一层掩膜层，在其表面旋涂一层光刻胶，通过曝光、显影和烘烤，形成光刻图形，然后在此基础上，利用光刻胶作为掩膜，使用RIE刻蚀的方法将掩膜层图形化，使得掩膜层下的InN保护层暴露出来，然后去除光刻胶；

(4)将具有掩膜图形的基片升温以分解InN保护层，然后在原有InN保护层的位置生长p-GaN层；

(5)将生长完p-GaN层的基片放入HF中浸泡，去除掩膜层；

(6)继续处理基片，形成p-GaN增强型HEMT器件。

2.根据权利要求1所述的利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，其特征在于：步骤(1)中在MOCVD系统中生长完GaN层、AlGaN层后，再原位生长10-20nm的InN保护层。

3.根据权利要求1所述的利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，其特征在于：步骤(1)中在MOCVD系统中生长完GaN层、AlGaN层后，在AlGaN层上原位生长一层2～4nm厚度的GaN层，再原位生长10-20nm的InN保护层。

4.根据权利要求1、2或3所述的利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，其特征在于：所述步骤(3)中掩膜层为Si₃N₄，厚度为100nm。

5.根据权利要求4所述的利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，其特征在于：步骤(4)中将具有掩膜图形的基片放入MBE腔体中，温度升至700℃以上，至InN保护层完全分解。

6.根据权利要求5所述的利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，其特征在于：步骤(5)中将生长完p-GaN层的基片放入浓度为40％的HF中浸泡30s，以去除Si₃N₄掩膜。

7.根据权利要求6所述的利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，其特征在于：步骤(6)中先将基片用ICP刻蚀技术进行台面隔离，然后在基片上制备源漏电极和栅电极，形成p-GaN增强型HEMT器件。

8.权利要求1-7中任一项所述的利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法制得的HEMT器件。