[发明专利]ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台在审
申请号: | 201910908564.8 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN110634762A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 吕亚冰;岳思宇 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/73;G01N27/62 |
代理公司: | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液滴 硅片表面 硅片 金属成份 扫描平台 刻蚀 残留 滚动 测试 测试过程 光谱分析 雾化 申请 | ||
1.一种ICPMS测试方法,其特征在于,包括:
对硅片进行刻蚀;
将刻蚀过的硅片固定在ICPMS扫描平台;
使VPD液滴在所述硅片表面滚动,收集所述硅片表面的金属成份,通过倾斜所述硅片利用所述VPD液滴的重力降低所述VPD液滴在所述硅片表面的残留;
将所述VPD液滴雾化后进行光谱分析,计算得到所述VPD液滴中的金属成份含量。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述使VPD液滴在所述硅片表面滚动,收集所述硅片表面的金属成份,包括:
将所述VPD液滴滴在所述硅片的中心;
通过扫描管吸附所述VPD液滴;
升起所述ICPMS扫描平台的基座,倾斜所述硅片;
使所述硅片和所述扫描管做相对运动,收集所述硅片表面的金属成份;
降落所述ICPMS扫描平台的基座,使所述硅片回复至水平。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述使所述硅片和所述扫描管做相对运动,包括:
使所述硅片和所述扫描管做相对运动,使所述VPD液滴在所述硅片上呈螺旋运动轨迹从所述硅片的中心滚动至所述硅片的边缘。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,使所述硅片和所述扫描管做相对运动,包括:
使所述硅片绕所述硅片的圆心做顺时针圆周运动,使所述扫描管绕所述扫描管的转动轴做逆时针圆周运动;或者,
使所述硅片绕所述硅片的圆心做逆时针圆周运动,使所述扫描管绕所述扫描管的转动轴做顺时针圆周运动。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述升起所述ICPMS扫描平台的基座,倾斜所述硅片,包括:
通过设置于所述基座下方的步进驱动马达升起所述基座,倾斜所述硅片。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述对硅片进行刻蚀之前,还包括:
分别将至少一个测试VPD液滴滴在测试硅片的中心;
分别使每个测试VPD液滴在所述测试硅片表面滚动,每个测试VPD液滴所在的测试硅片的倾斜角度不同;
根据所述每个测试VPD液滴在所述测试硅片上的残留确定所述硅片的倾斜角度。
7.根据权利要求1至6任一所述的方法,其特征在于,所述对硅片进行刻蚀,包括:
通过氟化氢蒸汽对所述硅片进行刻蚀。
8.一种ICPMS扫描平台,其特征在于,包括:
基座;
步进驱动马达,所述步进驱动马达设置于所述基座下方;
连接结构,所述连接结构设置于所述基座和所述步进驱动马达之间,用于在ICPMS测试中,通过所述步进驱动马达驱动所述连接结构,所述连接结构驱动所述基座使所述基座倾斜;
扫描管,所述扫描管设置于所述基座的一侧。
9.根据权利要求7所述的ICPMS扫描平台,其特征在于,所述连接结构包括第一铰链结构、第二铰链结构、轴套、丝杆和驱动装置基座;
所述第一铰链结构的一端与所述轴套固定连接,所述第一铰链结构的另一端与所述基座的第一边缘固定连接;
所述轴套与所述丝杆螺纹连接,所述步进驱动马达的联轴器与所述丝杆螺纹连接,所述步进驱动马达和所述驱动装置基座固定连接;
所述第二铰链结构的一端与所述基座的第二边缘固定连接,所述第二铰链结构的另一端和所述驱动装置基座固定连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造