[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底包括IO器件的有源区和核心器件的有源区，所述核心器件的有源区包括NMOS区域和PMOS区域，所述IO器件的有源区上形成有第一栅氧化层，所述第一栅氧化层上形成有第一栅极，所述第一栅氧化层覆盖所述IO器件有源区上的源漏区域，所述NMOS区域形成有第二栅氧化层，所述第二栅氧化层上形成有第二栅极，所述PMOS区域形成有第三栅氧化层，所述第三栅氧化层上形成有第三栅极，所述衬底、所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极的表面依次形成有隔离层和硬掩模层；

在所述NMOS区域覆盖光刻胶，通过刻蚀去除所述IO器件的源漏区域以及所述PMOS区域的源漏区域的硬掩模层；

对所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层，以及所述PMOS区域的源漏区域进行刻蚀，减薄所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层以及所述PMOS区域的衬底，在所述PMOS区域的源漏区域形成U形沟槽；

去除所述NMOS区域的光刻胶，对所述PMOS区域的源漏区域进行刻蚀，在所述PMOS区域的源漏区域形成∑形沟槽；

通过外延工艺在所述∑形沟槽中生长硅锗层；

通过湿法刻蚀工艺去除所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极表面的硬掩模层；

通过湿法刻蚀工艺去除所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离层包括氮化硅隔离层，所述硬掩模层包括氮化硅硬掩模层，所述在所述NMOS区域覆盖光刻胶之前，还包括：

在所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极的周侧形成所述氮化硅隔离层；

对所述IO器件的源漏区域、所述NMOS区域的源漏区域以及所述PMOS区域的源漏区域进行LDD注入；

在所述衬底、所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极的表面沉积所述氮化硅硬掩模层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过湿法刻蚀工艺去除所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极表面的硬掩模层，包括：

通过磷酸湿法刻蚀工艺去除所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极表面的硬掩模层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过湿法刻蚀工艺去除所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层，包括：

通过氢氟酸湿法刻蚀工艺去除所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀去除所述IO器件的源漏区域以及所述PMOS区域的源漏区域的硬掩模层，包括：

通过干法刻蚀工艺去除所述IO器件的源漏区域以及所述PMOS区域的源漏区域的硬掩模层。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层，以及所述PMOS区域的源漏区域进行刻蚀，减薄所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层以及所述PMOS区域的衬底，在所述PMOS区域的源漏区域形成U形沟槽，包括：

通过干法刻蚀工艺减薄所述第一栅极和所述第三栅极的二氧化硅顶层，所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层，以及所述PMOS区域的源漏区域的衬底；

通过干法刻蚀工艺减薄所述第一栅极和所述第三栅极的二氧化硅顶层，所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层，以及所述PMOS区域的源漏区域的衬底，在所述PMOS区域的源漏区域形成所述U形沟槽。

7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述通过湿法刻蚀工艺去除所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层之后，还包括：

在所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极的周侧形成侧墙；

依次对所述IO器件的有源区和所述核心器件的有源区进行SD注入。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述侧墙包括氮化硅。