[发明专利]一种介电性能可调的高Q微波介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种介电性能可调的高Q微波介质陶瓷，其特征在于，所述介质陶瓷的成分为ZnNb₂O₆和Ni_0.5Ti_0.5NbO₄。

2.根据权利要求书1所述的介电性能可调的高Q微波介质陶瓷，其特征在于，所述介质陶瓷中，ZnNb₂O₆的摩尔百分比为5％～95％，ZnNb₂O₆与Ni_0.5Ti_0.5NbO₄的摩尔百分比之和为100％。

3.一种介电性能可调的高Q微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述介质陶瓷由ZnNb₂O₆和Ni_0.5Ti_0.5NbO₄烧结制得。

4.根据权利要求书3所述的介电性能可调的高Q微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将ZnNb₂O₆和Ni_0.5Ti_0.5NbO₄混合10-20小时，干燥后加入聚乙烯醇并混合，烘干过筛得到粉末；

(2)将上述粉体加入模具中并加压成型，成型后脱模，得到陶瓷坯体；

(3)烧结上述陶瓷坯体，得到所述介质陶瓷。

5.根据权利要求书4所述的介电性能可调的高Q微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述陶瓷坯体的烧结温度为1150-1200℃，升温速率为1-10℃/min，烧结气氛为空气。

6.根据权利要求书4所述的介电性能可调的高Q微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述烧结保温时间为2-5小时。

7.根据权利要求书1所述的介电性能可调的高Q微波介质陶瓷，其特征在于，所述ZnNb₂O₆由如下步骤制备：

(1)按照摩尔比1:1分别称取ZnO和Nb₂O₅，放入混料罐中混合10-20小时，旋转干燥获得混合粉末；

(2)将上述步骤中得到的混合粉体置于坩埚中，在空气气氛下煅烧2-5小时，煅烧温度为820-900℃；

(3)对上述步骤中的最终生成物进行球磨，即得到ZnNb₂O₆粉体。

8.根据权利要求书1所述的介电性能可调的高Q微波介质陶瓷，其特征在于，所述Ni_0.5Ti_0.5NbO₄由如下步骤制备：

(1)按照摩尔比1:1:1分别称取NiO和TiO₂和Nb₂O₅，放入混料罐中混合10-20小时，旋转干燥获得混合粉末；

(2)将上述步骤中得到的混合粉体置于坩埚中，并在空气气氛下煅烧2-5小时，煅烧温度为1050-1100℃；

(3)对上述步骤中的最终生成物进行球磨，即得到Ni_0.5Ti_0.5NbO₄粉体。