[发明专利]用于极紫外线微影术的光罩在审
| 申请号： | 201910909214.3 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110967917A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李信昌;许倍诚;林秉勳;连大成;王子奕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;G03F1/54 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 紫外线 微影术 | ||
一种用于极紫外线微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与该前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。
技术领域
本揭示内容是关于一种用于极紫外线微影术的光罩。
背景技术
光微影操作为半导体制造制程中的关键操作中的一种。光微影技术包括紫外线微影术、深紫外线微影术及极紫外线微影术(extreme ultraviolet lithography,EUVL)。光罩为光微影操作中的重要部件。制造无缺陷的EUV光罩是关键的。
发明内容
根据本申请案的一个态样，一种用于极紫外线(EUV)微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。
附图说明
当结合附图阅读时得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案。应强调，根据行业中的标准实务，各种特征未按比例绘制并仅用于说明目的。实际上，为了论述清楚可任意地增大或减小各种特征的尺寸。
图1A及图1B图示根据本揭示案的一个实施例的EUV光罩坯料；
图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F及图2G示意性地图示根据本揭示案的实施例的用于制造EUV光罩的方法；
图3图示根据本揭示案的一个实施例的EUV光罩的蚀刻操作的示意图；
图4图示根据本揭示案的另一实施例的EUV光罩的蚀刻操作的示意图；
图5图示根据本揭示案的另一实施例的EUV光罩的蚀刻操作的示意图；
图6图示根据本揭示案的另一实施例的EUV光罩的蚀刻操作的示意图；
图7图示根据本揭示案的实施例的线形突起或线形O形环；
图8图示经由装载闸腔室将待蚀刻的EUV光罩装载至蚀刻腔室中的操作。
【符号说明】
5 EUV光罩坯料
10 基板
15 多层Mo/Si堆叠
20 封盖层
25 吸收层
30 硬遮罩层
35 第一光阻剂层
40 图案
41 图案
42 图案
45 背侧导电层
50 图案
51 图案
55 第二光阻剂层
200 台
210 基座
220 捕捉环
222 第一部分/平坦部分
225 突起
227 O形环
230 阴极
235 突节
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