[发明专利]一种单分散大孔径的介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法

权利要求书

1.一种单分散大孔径的介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)按摩尔比，硅源：阳离子表面活性剂：催化剂：水=1:(0.12-0.15):(0.18-0.31):1191，备料；将水、助溶剂、催化剂和阳离子表面活性剂四者按比例混合，形成混合溶液，其中，助溶剂与四者混合总质量比为0~0.15，不取0值；所述的阳离子表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵，催化剂为氢氧化钠或三乙醇胺，助溶剂为乙醇、丁醇、丙醇或异丙醇中的一种或几种混合，将所得混合溶液于搅拌下升温至40-80℃，加入硅源，在500-700 r/min转速下搅拌反应1-3 h，完成反应后获得反应产物混合溶液；待反应产物混合溶液冷却至室温，分离洗涤得到白色沉淀，所述的白色沉淀为二氧化硅纳米粒子；

(2)将白色沉淀均匀分散在强酸和乙醇混合溶液中，水热条件下反应12-48 h，所述的强酸为硫酸，盐酸或硝酸；当为硫酸时，乙醇和硫酸的摩尔比为1:(0.11-0.22)，当为盐酸时，乙醇和盐酸的摩尔比为1:(0.23-0.46)，当为硝酸时，乙醇和硝酸的摩尔比为1:(0.11-0.22)，所述水热温度为100-180°C，水热后样品经离心、洗涤、干燥后，进行脱除表面活性剂，获得单分散大孔径的介孔二氧化硅纳米粒子。

2.根据权利要求1所述的单分散大孔径的介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述的硅源为四乙氧基硅烷。

3.根据权利要求1所述的单分散大孔径的介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述脱除表面活性剂方法为煅烧，煅烧温度为450-600°C，煅烧时间3-5h，升温速率为1-2°C·min^-1。

4.根据权利要求1所述的单分散大孔径的介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，介孔二氧化硅纳米粒子的粒径为50-200 nm，介孔孔径为3-15nm，多分散指数PDI为1.01-1.10。

5.根据权利要求1所述的单分散大孔径的介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，介孔二氧化硅纳米粒子的比表面积为360-600 m²·g^-1。