[发明专利]一种基于IGBT实现控制的方法

说明书

本发明提供了一种基于IGBT实现控制的方法，于功率半导体模块技术领域，包括DSP控制器、绝缘栅双极型晶体管芯片、续流二极管芯片以及电流检测器；DSP控制器耦接在电流检测器上，用于接收电流检测器检测的电流信号与控制信号；绝缘栅双极型晶体管芯片的一端还耦接有变频器，流二极管芯片一端还耦接有不间断电源。对流过绝缘栅双极型晶体管芯片与续流二极管芯片的电流值，进而可以控制电流通过向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通，向门极电压消除沟道，切断基极电流，进而避免GBT内元件受损。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种基于IGBT实现控制的方法。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是80年代中期问世的一种复合型电力电子器件，从结构上说，相当于一个由MOSFET(Metal0xideSemiconductor Field Effect Transistor,金属-氧化物-半导体场效晶体管)驱动的厚基区的BJT(Bipolar Junction Transistor,双极结型晶体管)，IGBT既有MOSFET的快速响应、高输入阻抗、热稳定性好.驱动电路简单的特性,也具备BJT的电流密度高、通态压降低,耐压高的特性,被广泛应用于电力电子设备中。

基于IGBT的控制方法是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的基于IGBT的控制方法直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

但是现有的IGBT的无法及时检测控制电流通过何时向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通，何时向门极电压消除沟道，切断基极电流，因此，容易造成IGBT内元件受损。

发明内容

本发明提供一种基于IGBT实现控制的方法，现有的IGBT的无法及时检测控制电流通过何时向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通，何时向门极电压消除沟道，切断基极电流，因此，容易造成IGBT内元件受损的问题。

上述技术目的是通过以下技术方案实现的，一种基于IGBT的控制方法，包括DSP控制器、绝缘栅双极型晶体管芯片、续流二极管芯片以及电流检测器；

所述DSP控制器耦接在所述电流检测器上，用于接收电流检测器检测的电流信号与控制信号；

所述绝缘栅双极型晶体管芯片的一端还耦接有变频器，所述续流二极管芯片一端还耦接有不间断电源；

当IGBT处于通电状态时，DSP控制器处于关闭状态时，形成N沟道绝缘栅双极型晶体管，为N+区，即漏区，并且附在相应的电机上，为发射极E，在N沟道绝缘栅双极型晶体管下方的控制器形成栅极G，并在栅极区边界形成沟道，用于给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通；

在栅极区边界的沟道出处连接有检测电流是否过高的电流检测器；

电流检测器具有电机极+N极与-N极，+N极耦接于与绝缘栅双极型晶体管芯片，-N极耦接于与流二极管芯片，用于检测流过绝缘栅双极型晶体管芯片与续流二极管芯片的电流值。

进一步的，

所述还包括集电极C，所述集电极C与发射极E之间形成P型区；

所述P型区包括P+和P-区，在P+和P-区形成亚沟道区，在漏区另一侧的P+区为漏注入区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，用于发射极，向漏极注入空穴，进行导电调制，降低器件的通态电压。

进一步的，

所述绝缘栅双极型晶体管芯片通过+N极的电流过大则反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断；