[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

管芯结构，包括多个管芯区；

多个第一密封环，所述多个第一密封环中的每一个围绕所述多个管芯区的相应管芯区；

第二密封环，围绕所述多个第一密封环；以及

多个连接件，接合到所述管芯结构，所述多个连接件中的每一个具有细长的平面图形状，所述多个连接件中的每一个的细长平面图形状的长轴朝向所述管芯结构的中心定向；以及

衬底，附接到所述多个连接件，其中，在俯视图中，所述管芯结构的中心是所述衬底的对角线相交处的中心点，并且其中，所述衬底的对角线相交处的中心点与所述管芯结构的对角线相交处的中心点不重合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一密封环包括所述管芯结构内的多个导电部件。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个导电部件包括导线和导电通孔。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述管芯结构的中心与由所述第二密封环围绕的区域的中心重合。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个连接件中的每一个包括：

导电柱；和

焊料层，位于所述导电柱上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个管芯区中的第一管芯区在平面图中具有第一面积，其中，所述多个管芯区中的第二管芯区在平面图中具有第二面积，并且其中，所述第二面积不同于所述第一面积。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述细长的平面图形状是卵形、椭圆形或跑道形。

8.一种半导体器件，包括：

管芯结构，包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括多个第一管芯区，所述第二区域包括多个第二管芯区；

多个第一密封环，所述多个第一密封环中的每一个围绕所述多个第一管芯区和所述多个第二管芯区的相应管芯区；

第二密封环，围绕所述第一区域和所述第二区域；

多个连接件，接合到所述管芯结构，所述多个连接件中的每一个具有细长的平面图形状，沿着所述多个连接件中的每一个的细长平面图形状的长轴延伸的线与所述管芯结构的中心相交；以及

衬底，物理附接到所述多个连接件，其中，在俯视图中，所述管芯结构的中心是所述衬底的对角线相交处的中心点，并且其中，所述衬底的对角线相交处的中心点与所述管芯结构的对角线相交处的中心点不重合。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一区域和所述第二区域在平面图中具有相同的面积。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二密封环围绕所述多个第一密封环。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述多个第一管芯区中的管芯区的数量与所述多个第二管芯区中的管芯区的数量相同。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述多个第一密封环包括所述管芯结构内的多个导电部件。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述多个导电部件包括导线和导电通孔。

14.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述管芯结构的中心与由所述第二密封环围绕的区域的中心重合。