[发明专利]一种砷烷的合成提纯方法在审

专利信息
申请号: 201910909935.4 申请日: 2019-09-25
公开(公告)号: CN110642227A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 陈国富;龚施健 申请(专利权)人: 博纯材料股份有限公司
主分类号: C01B6/06 分类号: C01B6/06;F25D3/10;F28B9/10;B01D53/81;B01D53/40;B01D53/48;B01D53/26;B01D53/02
代理公司: 44214 广州市红荔专利代理有限公司 代理人: 李彦孚
地址: 362617 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 砷烷 吸附装置 粗制 砷化锌 提纯 冷肼 制备 合成 分子筛 多孔吸附剂 高沸点杂质 不凝气体 气体冷凝 气体通过 酸性物质 高纯度 稀硫酸 液氮罐 真空泵 捕集 钢瓶 挥发 取下 锌粉 液氮 洁净 保存
【说明书】:

发明提供一种砷烷的合成提纯方法,使用锌粉与砷粉制备砷化锌,然后使用砷化锌粉末与稀硫酸发生反应,然后制得粗制砷烷气体,通过将粗制砷烷气体通过通入第一吸附装置,吸附装置中设有碱性多孔吸附剂,除去粗制砷烷气体中的酸性物质,再通入第二吸附装置,所述第二吸附装置中设有分子筛,除去砷烷气体中的高沸点杂质,最后使用液氮冷肼捕集砷烷气体,使砷烷气体冷凝为液态砷烷,使用真空泵抽去不凝气体,然后取下冷肼外的液氮罐,使砷烷挥发,得到纯净的砷烷气体;纯净的砷烷气体通入预先处理过的洁净钢瓶中进行保存,得到高纯度的砷烷气体成品。本发明提供的合成及提纯方法制备的砷烷成品,纯度可达6N,产品的杂质含量小于0.1ppm。

技术领域

本发明涉及砷烷合成技术领域,具体涉及一种砷烷的合成提纯方法。

背景技术

电子气体是超大规模集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、太阳能电池、光纤等电子工业生产不可缺少的原材料,它们广泛地应用于薄膜、刻蚀、掺杂、气相沉积,扩散等工艺,例如在目前工艺技术较为先进的超大规模集成电路工厂的晶圆片制造过程中,全部工艺步骤超过450道,其中大约要使用50种不同种类的电子气体。砷烷是电子气体中很重要的五族元素之一,砷烷是一种重要的电子特气,它在半导体工业中主要用于外延硅的N型掺杂、硅中的N型扩散、离子注入、生长砷化镓和磷砷化镓等。此外,砷烷在光电子、太阳能电池和微博装置中也有极为重要的应用。

砷烷不能通过单质简单的合成,但在催化剂的存在下或等离子体照射下可得到砷烷,通常使用某些金属砷化物与水或酸反应来制备砷烷,该反应快速而且完全,产物中完全不含氢气,但是砷烷的收率通常低于90%。

目前国际先进水平制备所得的砷烷的浓度为6N,而我国的特种气体之一,砷烷的纯度由于技术原因只能生产浓度为3-4N的标准的特种气体,而在许多重要的领域,比如:国家战备武器研究和神舟五号运载火箭上的控制系统的电子元器件的制造,以及卫星上使用的太阳能电池的制造等方面所急需的6N标准的气体全部依靠进口,目前世界上只有美国、俄罗斯等发达国家才能生产,我国进口该种气体常常因为国际形势紧张和变化受到阻碍,因此我国继续的高纯气体材料的国产化问题直接制约了上述相关领域的发展。

现国内也有公布的砷烷提纯方法,主要采用。镓铟合金液体深吸附脱水、氧来得到电子级的砷烷,然而这种吸附方式不可再生,且,重金属难以获得,导致整套系统的成本很高,推广受到局限,另一方面,这些重金属合金本身都具有毒性,而且深度吸附的吸附效率较低。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种纯度较高、反应较快、杂质较少的砷烷合成和提纯方法。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种砷烷的合成提纯方法,砷烷的合成提纯方法具体步骤如下:

步骤一:称取锌粉与砷粉,将砷粉与锌粉,按照质量比3:4的比例进行混合,混合结束后将粉末放于石英器皿内,再置于不锈钢反应罐中,抽真空,再充入高纯惰性气体至常压,然后将压强维持在0.13~0.14MPa,加热3~4h,制得砷化锌,备用;

步骤二:将步骤一中收集的砷化锌粉末至于反应器中,边搅拌边加入质量浓度为10-50%的稀硫酸反应生成粗制砷烷气体;

步骤三:将步骤二中的粗制砷烷气体,通入第一吸附装置,所述吸附装置中设有碱性多孔吸附剂,得到砷烷气体A;

步骤四:将步骤三中砷烷气体A通入第二吸附装置,所述第二吸附装置中设有分子筛,得到砷烷气体B;

步骤五:使用液氮冷肼捕集步骤四中的砷烷气体B,使砷烷气体B冷凝为液态砷烷,使用真空泵抽去不凝气体,然后取下冷肼外的液氮罐,使砷烷挥发,得到纯净的砷烷气体;

步骤六:将步骤五中纯净的砷烷气体通入预先处理过的洁净钢瓶中进行保存,得到成品。

进一步的,所述步骤一中高纯惰性气体可为高纯氦气、氖气、氩气或氮气的一种。

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