[发明专利]一种含三乙胺综合废水的深度处理系统及其处理方法在审
申请号: | 201910910196.0 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN110590067A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 阮建林;王桂秋;陈百恒;刘永德;吴彦君 | 申请(专利权)人: | 阮建林 |
主分类号: | C02F9/14 | 分类号: | C02F9/14;C02F101/38 |
代理公司: | 11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 党桃桃 |
地址: | 710077 陕西省西安市高新区鱼*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管道连接 多效蒸发系统 冷凝液收集池 二级好氧池 混凝沉淀池 一级好氧池 一级水解池 综合调节池 二级水解 过滤系统 综合废水 缓冲池 三乙胺 出水 废水处理技术 深度处理系统 废水收集池 深度处理 好氧 水解 沉淀 过滤 | ||
1.一种含三乙胺综合废水的深度处理系统,其特征在于:包括废水收集池、多效蒸发系统、冷凝液收集池、综合调节池、一级水解池、一级好氧池、缓冲池、二级水解池、二级好氧池、混凝沉淀池和过滤系统;
所述废水收集池通过管道连接到多效蒸发系统,所述多效蒸发系统通过管道连接到冷凝液收集池,所述冷凝液收集池通过管道连接到综合调节池,所述综合调节池通过管道连接到一级水解池,所述一级水解池通过管道连接到一级好氧池,所述一级好氧池通过管道连接到缓冲池,所述缓冲池通过管道连接到二级水解池,所述二级水解池通过管道连接到二级好氧池,所述二级好氧池通过管道连接到混凝沉淀池,所述混凝沉淀池通过管道连接到过滤系统,最终从过滤系统出水。
2.根据权利要求1所述含三乙胺综合废水的深度处理系统,其特征在于:含三乙胺综合废水通过管道输送到废水收集池;所述综合调节池还可以与生活污水管道和循环水排水管道连接,所述综合调节池将经冷凝液收集池的出水与生活污水、循环水排水混合。
3.根据权利要求1所述含三乙胺综合废水的深度处理系统,其特征在于:还包括蒸发渣池,所述多效蒸发系统通过管道支路将多效蒸发系统产生的废浆液外运到蒸发渣池。
4.根据权利要求1所述含三乙胺综合废水的深度处理系统,其特征在于:所述一级好氧池还设置有管道一支路和管道二支路,所述一级好氧池通过管道一支路连接到一级水解池进行污泥回流,所述一级好氧池通过管道二支路连接到二级水解池进行定期补泥;所述含三乙胺综合废水的深度处理系统还包括污泥池,所述一级好氧池还设置有管道三支路,所述一级好氧池通过管道三支路连接到污泥池,将一级好氧池中多余污泥输送到污泥池中,所述混凝沉淀池通过管道支路连接到污泥池,将混凝沉淀池中的污泥输送到污泥池中,所述污泥池将污泥输送到下一个污泥处理系统对污泥进行处理。
5.根据权利要求1所述含三乙胺综合废水的深度处理系统,其特征在于:还包括第一鼓风曝气机和第二鼓风曝气机,所述一级好氧池与第一鼓风曝气机连接,所述第一鼓风曝气机为一级好氧池进行鼓风曝气;所述二级好氧池与第二鼓风曝气机连接,所述第二鼓风曝气机为二级好氧池进行鼓风曝气。
6.根据权利要求1所述含三乙胺综合废水的深度处理系统,其特征在于:所述多效蒸发系统是3效;所述过滤系统可以为多介质过滤器;所述一级水解池、二级水解池可以是含填料或不含填料的水解酸化池;一级好氧池可以是SBR工艺或CASS工艺;二级好氧池可以是接触氧化工艺。
7.利用权利要求1至6任意之一所述含三乙胺综合废水的深度处理系统对含三乙胺综合废水进行处理方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)含三乙胺综合废水通过管道输送到废水收集池,从废水收集池出水,进入多效蒸发系统,去除水中大部分有机污染物、总磷、固体污染物,多效蒸发系统出水进入冷凝液收集池,多效蒸发系统产生的废浆液外运,冷凝液收集池出水进入综合调节池;
(2)综合调节池出水进入一级水解池,所述一级水解池中含有污泥及污泥中培养的水解菌、酸化菌,利用水解菌、酸化菌将水中难生物降解的大分子物质转化为易生物降解的小分子物质;
(3)一级水解池出水进入一级好氧池,所述一级好氧池中含有污泥及污泥中培养的好氧微生物,利用好氧微生物将水中有机污染物分解成无机物,去除水中的有机污染物;
(4)一级好氧池出水进入缓冲池,缓冲池出水进入二级水解池,所述二级水解池中含有污泥及污泥中培养的水解菌、酸化菌,二次利用水解菌、酸化菌将水中难生物降解的大分子物质转化为易生物降解的小分子物质;
(5)二级水解池出水进入二级好氧池,所述二级好氧池中含有污泥及污泥中培养的好氧微生物,二次利用好氧微生物将水中有机污染物分解成无机物,去除水中的有机污染物;
(6)二级好氧池出水进入混凝沉淀池,投加絮凝剂,去除水中细小悬浮污染物;混凝沉淀池出水经过过滤系统后出水COD≤45mg/L。
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