[发明专利]一种氮化铝基板用包封浆料及其制备方法和应用

说明书

本发明提供了一种氮化铝基板用包封浆料，包括：65～80wt％的玻璃粉；0～10wt％的无机添加剂；10～35wt％的有机载体；所述玻璃粉由包括以下物料的原料制备得到：50～75wt％的ZnO；1～15wt％的SiO₂；0～3wt％的Al₂O₃；7～45wt％的H₃BO₃。本发明提供的氮化铝基板用包封浆料与氮化铝基材膨胀系数完美匹配，烧结后表面光滑，平整，结合力好，同时不含铅铬汞等有毒元素，特别是该包封介质浆料烧结在氮化铝基片表面的电路上后，电阻层的烧结前后的阻值变化率小于±5％。本发明还提供了一种氮化铝基板用包封浆料的制备方法和应用。

技术领域

本发明涉及浆料技术领域，尤其涉及一种氮化铝基板用包封浆料及其制备方法和应用。

背景技术

氮化铝基片大功率片式元件主要应用于军用射频天线、航空航天、雷达、手机、5G通讯设备、汽车电子等领域，目前，全球的销售量每月超过1000亿只，且每年增长速度达到20％以上。

目前国内主要的氮化铝基片大功率片式元件生产厂商的包封介质浆料主要是依赖进口，主要为美国和日本，国内还没有浆料厂家开发出氮化铝基片用的包封介质浆料，这严重制约了氮化铝基片大功率片式元件行业的发展，因此，对于氮化铝基片大功率片式元件用包封介质浆料的研发显得极为迫切和必要。

氮化铝基片大功率片式元件采用的是氮化铝作为基片材料，由于氮化铝基片材料膨胀系数小，热导率高，因此，要求其表面电路用的包封介质浆料的膨胀系数必须与氮化铝的膨胀系数相近，才能很好的匹配，而现有的包封介质浆料主要用于氧化铝基片片式电阻，无法满足氮化铝基片大功率片式元件重烧变化率小于±5％的应用要求。

因此，研发一种同时具有低成本、与氮化铝基片膨胀系数匹配，且片式元件上电阻覆盖前后变化率小于±5％的包封介质浆料是非常必要的。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种氮化铝基板用包封浆料及其制备方法和应用，本发明提供的氮化铝基板用包封浆料能够很好的用于氮化铝基片的包封介质浆料。

本发明提供了一种氮化铝基板用包封浆料，包括：

65～80wt％的玻璃粉；

0～10wt％的无机添加剂；

10～35wt％的有机载体。

在本发明中，所述玻璃粉的质量含量优选为70～75％；所述无机添加剂的质量含量优选为1～8％，更优选为2～6％，最优选为3～5％；所述有机载体的质量含量优选为15～30％，更优选为20～25％。

在本发明中，所述玻璃粉由包括以下物料的原料制备得到：

50～75wt％的ZnO；

1～15wt％的SiO₂；

0～3wt％的Al₂O₃；

7～45wt％的H₃BO₃。

在本发明中，所述ZnO的质量含量优选为55～70％，更优选为60～70％；所述SiO₂的质量含量优选为5～10％，更优选为6～8％；所述Al₂O₃的质量含量优选为0.5～2.5％，更优选为1～2％，最优选为1.5％；所述H₃BO₃的质量含量优选为10～40％，更优选为20～30％，最优选为25％。

在本发明中，所述玻璃粉的制备方法优选包括：