[发明专利]一种显示面板的制造方法

说明书

本发明提供一种显示面板的制造方法，第二金属层采用两次曝光、两次刻蚀和两次剥离：第一次曝光除开形成正常的栅极的图形之外，还在半导体层的边缘用第一光阻层进行保护，然后依次进行第二金属层的刻蚀和绝缘层的刻蚀，因半导体层的边缘有第一光阻层的保护，所以绝缘层的刻蚀时不会造成半导体层的边缘处的缓冲层出现UnderCut(底切)的异常；接着进行第一光阻层的剥离和第二次曝光，第二金属层的第二次曝光，将半导体层边缘多余的第二金属层露出来，其他位置均被第二光阻层保护；接着进行第二金属层的刻蚀，将半导体层边缘多余的第二金属层刻蚀干净，进行第二光阻层剥离完成第二金属层的制程。

技术领域

本发明涉及面板的技术领域，尤其涉及一种显示面板的制造方法。

背景技术

顶栅的TFT器件具有较小的Cgs(栅极和漏极之间的电容)和Cgd(栅极和源极之间的电容),相对于常规的底栅的TFT器件具有较小的功耗和较好的器件稳定性，被广泛用于OLED补偿电路和低功耗显示器件中。

顶栅的TFT器件的栅极在刻蚀过程中，因金属氧化物半导体层的阻挡，导致缓冲层出现UnderCut(底切)，后续会导致膜层断裂异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种消除底切异常的显示面板的制造方法。

本发明提供一种显示面板的制造方法，包括如下步骤：

S1：在基板上依序由第一金属层形成的遮光层、形成覆盖遮光层的缓冲层以及形成位于缓冲层上且位于遮光层上方的半导体层；

S2：在步骤S1的基础上首先依序沉积绝缘层和第二金属层，然后涂布覆盖第二金属层的第一光阻层，对第一光阻层进行曝光并去除半导体层分别与源极和漏极接触的第一接触区域和第二接触区域上方的第一光阻层；

S3：在步骤S2的基础上依次对第二金属层和绝缘层进行刻蚀，去除位于分别第一接触区域和第二接触区域上方的第二金属层和绝缘层；

S4：在步骤S3的基础上剥离第一光阻层，使得第二金属层形成位于半导体层上方的栅极、分别位于栅极两侧的第一栅极连接极和第二栅极连接极；

S5：在步骤S4的基础上涂布覆盖第二金属层的第二光阻层，对第二光阻层进行曝光并分别去除位于第一栅极连接极和第二栅极连接极上的第二光阻层；

S6：在步骤S5的基础上对第二金属层进行刻蚀，第一栅极连接极和第二栅极连接极被刻蚀掉；

S7：在步骤S6的基础上剥离第二光阻层。

优选地，步骤S2中，第二金属层为不能由含氟的刻蚀液进行刻蚀掉的金属。

优选地，步骤S2中，第二金属层为CuMo或CuMoNb。

优选地，步骤S2中，第一接触区域和第二接触区域分别靠近半导体层的边缘，半导体层的边缘由第一光阻层保护。

优选地，步骤S4中，第一栅极连接极和第二栅极连接极裸露和栅极被第二光阻层覆盖。

优选地，步骤S5中，刻蚀第二金属层的刻蚀液不含氟。

优选地，还包括步骤：

S7：在步骤S6的基础上沉积第二绝缘层和第三金属层，通过第三金属层形成通过第一接触区域与半导体层接触的源极、通过第二接触区域与半导体层接触的漏极。

S8：在步骤S7的基础上沉积第三绝缘层和像素电极，像素电极超过第三绝缘层与漏极接触。