[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，所述电子器件包括：

沟道层；

第一载流子供应层，所述第一载流子供应层覆盖在所述沟道层上面；

高电子迁移率晶体管的栅极电极，所述栅极电极覆盖在所述沟道层上面；和

所述高电子迁移率晶体管的漏极电极，所述漏极电极覆盖在所述沟道层上面，

其中：

所述高电子迁移率晶体管具有沿着所述沟道层和所述第一载流子供应层之间的界面的二维电子气，

所述二维电子气在第一点邻近具有第一密度，在第二点邻近具有第二密度，在第三点邻近具有第三密度，

所述栅极电极到所述第一点的距离小于到所述第二点和所述第三点的距离，

所述漏极电极到所述第三点的距离小于到所述第一点和所述第二点的距离，

所述第二点设置在所述第一点和所述第三点之间，并且

所述第二密度大于所述第一密度和所述第三密度中的每一者。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述栅极电极不覆盖在所述第一点上面。

3.根据权利要求1所述的电子器件，还包括第二载流子供应层，所述第二载流子供应层在所述第二点上的厚度大于在所述第一点上的厚度。

4.一种电子器件，所述电子器件包括：

沟道层；

第一载流子供应层，所述第一载流子供应层覆盖在所述沟道层上面；

高电子迁移率晶体管的栅极电极，所述栅极电极覆盖在所述沟道层上面；

所述高电子迁移率晶体管的漏极电极，所述漏极电极覆盖在所述沟道层上面；和

第二载流子供应层，所述第二载流子供应层包括：

第一膜，所述第一膜覆盖在所述第一载流子供应层上面；和

第二膜，所述第二膜覆盖在所述第一膜上面，其中所述栅极电极到所述第一膜的距离小于到所述第二膜的距离，并且所述第二膜到所述漏极电极的距离小于到栅极电极的距离。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其中所述漏极电极覆盖在所述第二载流子供应层的所述第一膜上面而不是所述第二膜上面。

6.根据权利要求4所述的电子器件，还包括在所述栅极电极上方的介电层，其中所述介电层包括第一部分，所述第一部分具有在朝向所述漏极电极的第一方向上延伸的第一长度。

7.根据权利要求6所述的电子器件，其中所述介电层包括第二部分，所述第二部分沿着所述栅极电极的侧壁放置，与所述第一部分邻接，并且所述第二部分到所述漏极电极的距离大于所述第一部分到所述漏极电极的距离。

8.根据权利要求6所述的电子器件，还包括所述高电子迁移率晶体管的源极电极，其中所述介电层：

包括第二部分，所述第二部分具有在朝向所述源极电极并与所述第一方向相反的第二方向上延伸的第二长度，其中所述第二长度比所述第一长度短；或者

不包括具有沿着所述第二方向从所述栅极电极朝向所述源极电极延伸的长度的部分。

9.根据权利要求4所述的电子器件，还包括蚀刻停止层，所述蚀刻停止层覆盖在所述第一载流子供应层上面，其中所述栅极电极覆盖在所述蚀刻停止层上面。

10.根据权利要求4所述的电子器件，还包括：

所述高电子迁移率晶体管的源极电极，所述源极电极覆盖在所述沟道层上面；和

介电层，所述介电层覆盖在所述栅极电极上面，

其中：

所述第二载流子供应层是单晶AlN层，

所述漏极电极不覆盖在所述第二载流子供应层的所述第二膜上面，并且

所述介电层包含氧化物，所述介电层具有第一部分，所述第一部分具有在朝向所述漏极电极的第一方向上延伸的第一长度，并且所述介电层具有第二部分，所述第二部分具有在朝向所述源极电极的第二方向上延伸的第二长度，其中所述第二方向与所述第一方向相反，并且所述第二长度比所述第一长度短。