[发明专利]一维高介电常数、低膨胀系数复合材料及制备方法

权利要求书

1.一维高介电常数、低膨胀系数复合材料的制备方法，其特征在于：复合材料具有核壳结构，芯层铌酸钾，壳层为锂霞石，所述的一维高介电常数、低膨胀系数复合材料的制备方法如下：

（1）采用水热法制备铌酸钾纳米粉体，采用溶胶凝胶法制备锂霞石纳米粉体；

（2）铌酸钾、锂霞石纳米粉体预处理：配置聚乙烯醇溶液，将铌酸钾纳米粉体和锂霞石纳米粉体分别加入到聚乙烯醇溶液中搅拌，之后过滤、清洗干燥得到预处理铌酸钾纳米粉体和预处理锂霞石纳米粉体；

（3）将步骤（2）得到的预处理铌酸钾纳米粉体置于聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液中浸渍，之后过滤、清洗得到带正电荷铌酸钾溶液；

（4）将步骤（2）得到的预处理锂霞石纳米粉体置于过氧化氢酶溶液中浸渍，得到带负电荷的锂霞石溶液；

（5）将步骤（3）得到的带正电荷铌酸钾置于带负电荷的锂霞石溶液中浸渍处理20-50min，之后过滤、水洗干燥得到预浸渍粉末；

（6）将步骤（5）得到的预浸渍粉末依次置于带正电荷铌酸钾溶液和负电荷的锂霞石溶液中浸渍处理，之后过滤、水洗干燥，重复该过程3-5次；

（7）将步骤（6）最终得到粉体置于微波烧结炉烧结得到复合材料。

2.根据权利要求1所述的一维高介电常数、低膨胀系数复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中聚乙烯醇溶液溶液浓度为8-15mg/mL，搅拌处理温度为20-40℃，处理时间为20-100min，干燥温度为60-100℃，干燥时间为100min-300min。

3.根据权利要求1所述的一维高介电常数、低膨胀系数复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液的浓度为5-10mg/mL，聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液与预处理铌酸钾纳米粉体的质量比为5：（1-2），浸渍时间为10-30min。

4.根据权利要求1所述的一维高介电常数、低膨胀系数复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中过氧化氢酶溶液的浓度为5-10mg/mL，过氧化氢酶溶液与锂霞石纳米粉体的质量比为6：（1-2），浸渍时间为10-30min。

5.根据权利要求1所述的一维高介电常数、低膨胀系数复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（5）、步骤（6）中干燥温度为60-100℃，干燥时间为100min-300min，步骤（7）中烧结温度为600-800℃，烧结时间为10-30min。

6.根据权利要求1所述的一维高介电常数、低膨胀系数复合材料的制备方法，其特征在于所述步骤（6）中重复处理3-5次指重复以下过程：将每次浸渍干燥后得到的粉末依次置于带正电荷铌酸钾溶液和负电荷的锂霞石溶液中浸渍处理20-50min，之后过滤、水洗干燥。