[发明专利]用于制造存储器件的方法和集成电路

权利要求书

1.一种用于制造存储器件的方法，包括：

形成设置在介电层上方的第一掩模层，其中，所述第一掩模层具有侧壁，所述侧壁限定设置在位于嵌入式存储区域中的磁阻式随机存取存储器单元之上的开口，其中，所述磁阻式随机存取存储器单元包括顶部电极、底部电极以及设置在所述顶部电极和所述底部电极之间的磁隧道结；

在所述磁阻式随机存取存储器单元之上的所述介电层内形成第一通孔开口；

在所述磁阻式随机存取存储器单元和所述介电层上方形成顶部电极通孔层；对所述顶部电极通孔层实施第一平坦化工艺以去除所述顶部电极通孔层的一部分，并限定具有基本平坦顶面的顶部电极通孔；

在所述顶部电极通孔上方形成第一导电通孔，

其中，所述顶部电极通孔的最大宽度小于所述顶部电极的最大宽度，并且所述第一导电通孔的最大宽度大于所述顶部电极通孔的所述最大宽度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一平坦化工艺之前，所述顶部电极通孔层的顶面在所述磁阻式随机存取存储器单元之上限定V形。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述顶部电极通孔层的V形的最底点位于所述介电层的顶面之上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述第一平坦化工艺使得所述顶部电极通孔的顶面和所述介电层的顶面沿水平面延伸。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述磁隧道结的底面与所述底部电极的顶面直接接触；以及

其中，所述顶部电极的底面与所述磁隧道结的顶面直接接触，其中，所述顶部电极的顶面与所述顶部电极通孔的底面直接接触。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述磁隧道结的底面宽于所述顶部电极通孔的顶面。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述顶部电极通孔和所述介电层上方形成层间电介质；

在所述层间电介质内的所述顶部电极通孔上方形成所述第一导电通孔；

在所述层间电介质内的所述第一导电通孔之上形成导线，其中，所述导线延伸经过所述第一导电通孔的侧壁。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在逻辑区域内的互连线上方形成所述介电层，所述逻辑区域和所述嵌入式存储区域相邻；

去除所述逻辑区域中的所述介电层；

在所述逻辑区域和所述嵌入式存储区域上方形成层间电介质；

去除所述嵌入式存储区域上方的所述层间电介质，其中，包括所述层间电介质的残余物的突起保留在所述逻辑区域和所述嵌入式存储区域之间；以及

实施第二平坦化工艺以去除所述突起。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述逻辑区域中的所述互连线上方的所述层间电介质内形成第二导电通孔；

在所述第二导电通孔之上的所述层间电介质内形成第一导线，其中，所述第一导线延伸经过所述第二导电通孔的侧壁；

对所述层间电介质和所述第一导线实施第三平坦化工艺；

在所述逻辑区域和所述嵌入式存储区域上方形成第二层间电介质；

在所述第一导线上方的所述第二层间电介质内形成第三导电通孔，同时在所述顶部电极通孔上方的所述第二层间电介质内形成所述第一导电通孔；

在所述第三导电通孔上方的所述第二层间电介质内形成第二导线，同时在所述第一导电通孔上方的所述第二层间电介质内形成第三导线；以及

其中，所述第二导线延伸经过所述第三导电通孔的侧壁，其中，所述第三导线延伸经过所述第一导电通孔的侧壁。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在实施所述第三平坦化工艺之后，所述层间电介质的顶面、所述第一导线的顶面、所述顶部电极通孔的顶面和所述介电层的顶面对准并且在水平线处相接。