[发明专利]一种导电性能增强的纳米氧化锌薄膜制备方法

权利要求书

1.一种导电性能增强的纳米氧化锌薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1 利用脱水乙酸锌、氯化铝，通过溶胶 - 凝胶法制备掺杂有铝的氧化锌；

S2 采用射频反应溅射方法将银元素掺杂至氧化锌中，溅射条件为：溅射前预真空为5-6*Pa,衬底为硅单晶，溅射靶直径为10mm、纯度大于99.99%的金属锌靶，溅射反应气体为氩气和氧气的混合气体；衬底与金属锌靶的间距为50mm，衬底温度为100-300℃；溅射功率为60-200W；溅射气压为1-3.8 Pa,溅射时间为1-2h；

S3将溶胶-凝胶法制备的掺杂有铝的氧化锌、溅射方法掺杂有银的氧化锌与水混合配制成质量浓度为5 .8%的纳米氧化锌水悬浮液，超声分散4 ~ 6分钟，然后加入纳米氧化锌质量1 .8%的硫酸铝钾，添加到高速搅拌机中在3200r/min转速下搅拌 1小时，同时2 ~ 3分钟内滴加氢氧化钠溶液，然后转入衬有聚四氟乙烯的反应釜，置于均相反应器中于100 ~120℃ 进行反应，反应6 ~ 8h；反应结束后冷却至室温，离心分离、洗涤、烘干，最后得到纳米氧化锌。

2.根据权利要求1所述的一种导电性能增强的纳米氧化锌薄膜制备方法，其特征在于：在步骤S2中，所述金属锌靶上均匀放置银片，银片所占其金属锌靶的3%。

3.根据权利要求1所述的一种导电性能增强的纳米氧化锌薄膜制备方法，其特征在于：所述硅单晶衬底表面通过等离子体对其清洗与钝化处理。

4.根据权利要求1所述的一种导电性能增强的纳米氧化锌薄膜制备方法，其特征在于：在步骤S1中，所述氯化铝溶液的浓度为0 .09 ~ 0 .11mol/L；在步骤S3中，所述氢氧化钠溶液的浓度为0 .9 ~ 1 .1mol/L。