[发明专利]用于比较器的电路和用于减少比较器中的反冲噪声方法有效

专利信息
申请号: 201910911710.2 申请日: 2019-09-25
公开(公告)号: CN110957999B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 张清河;洪照俊;彭永州 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H03K5/24 分类号: H03K5/24;H03M1/08
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 比较 电路 减少 中的 反冲 噪声 方法
【权利要求书】:

1.一种用于比较器的电路,包括:

第一晶体管组,包括:

第一晶体管,具有耦合到第一节点的漏极,以及

第二晶体管,具有耦合到所述第一节点的源极,其中所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极一起耦合到所述比较器的第一输入端;第二晶体管组,包括:

第三晶体管,具有耦合到第二节点的漏极,以及

第四晶体管,具有耦合到所述第二节点的源极,其中所述第三晶体管及所述第四晶体管的栅极一起耦合到所述比较器的第二输入端;以及第一开关,连接到所述第一节点及所述第二节点且在所述第一节点与所述第二节点之间。

2.根据权利要求1所述的用于比较器的电路,其中:

响应于来自所述第一输入端的第一差分信号,所述第一晶体管配置为用于传导电流到所述第一节点;

响应于所述第一差分信号,所述第二晶体管配置为用于传导来自所述第一节点的电流;

响应于来自所述第二输入端的第二差分信号,所述第三晶体管配置为用于传导电流到所述第二节点;以及

响应于所述第二差分信号,所述第四晶体管配置为用于传导来自所述第二节点的电流。

3.根据权利要求1所述的用于比较器的电路,其中:

所述比较器响应于具有逻辑低电平电压的第一控制信号而关断;以及

所述比较器响应于具有逻辑高电平电压的第二控制信号而导通。

4.根据权利要求1所述的用于比较器的电路,其中:

所述第一节点通过第一寄生电容器耦合到所述第一输入端;以及

所述第二节点通过第二寄生电容器耦合到所述第二输入端。

5.根据权利要求1所述的用于比较器的电路,其中:

所述第一输入端耦合到第一容量阵列;以及

所述第二输入端耦合到第二容量阵列。

6.根据权利要求1所述的用于比较器的电路,进一步包括:

控制晶体管,具有源极,所述源极耦合到所述第二晶体管及所述第四晶体管的漏极,其中所述控制晶体管响应于具有逻辑高电平电压的控制信号,配置为用于从所述第二晶体管及所述第四晶体管的所述漏极传导电流到接地端。

7.根据权利要求1所述的用于比较器的电路,进一步包括:

锁存器,耦合到所述第一晶体管及所述第三晶体管的源极,其中:

所述锁存器包括:

一对晶体管;以及

一对反相器,所述一对反相器的每个输出端耦合到所述比较器的差分输出端;

响应于具有逻辑低电平电压的控制信号,所述第一晶体管及所述第三晶体管的所述源极电性连接到电源;以及

响应于具有所述逻辑低电平的所述电压的所述控制信号,所述反相器的输入端电性连接到所述电源。

8.一种用于比较器的电路,包括:

第一晶体管组,包括:

第一晶体管,具有耦合到第一节点的漏极,以及

第二晶体管,具有耦合到所述第一节点的源极,其中所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极一起耦合到所述比较器的第一输入端;第二晶体管组,包括:

第三晶体管,具有耦合到第二节点的漏极,以及

第四晶体管,具有耦合到所述第二节点的源极,其中所述第三晶体管及所述第四晶体管的栅极一起耦合到所述比较器的第二输入端;

第一开关,连接在所述第一节点与电源之间;以及

第二开关,连接在所述第二节点与所述电源之间。

9.根据权利要求8所述的用于比较器的电路,其中:

所述第一开关在导通时将所述第一节点直接耦合到所述电源;以及

所述第二开关在导通时将所述第二节点直接耦合到所述电源。

10.一种用于减少比较两个差分信号的比较器中的反冲噪声的方法,包括:

向所述比较器发送第一控制信号以关断所述比较器;

响应于所述第一控制信号,将第一电压锁定到所述比较器中的第一节点,其中所述第一电压通过第一寄生电容器将第一反冲电压感应到所述比较器的第一输入端;

响应于所述第一控制信号,将第二电压锁定到所述比较器中的第二节点,其中所述第二电压通过第二寄生电容器将第二反冲电压感应到所述比较器的第二输入端;

将第三电压锁定到待比较的第一差分信号,其中所述第三电压是所述第一反冲电压及所述第一输入端的第一输入电压的总和;以及

将第四电压锁定到待比较的第二差分信号,其中所述第四电压是所述第二反冲电压及所述第二输入端的第二输入电压的总和,其中:

所述第一电压与所述第二电压相同,以及

所述第一反冲电压与所述第二反冲电压相同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910911710.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top