[发明专利]一种芯片的切割方法有效
申请号: | 201910912248.8 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN110648908B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 张祥波;胡诚 | 申请(专利权)人: | 武汉驿路通科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/78 |
代理公司: | 武汉谦源知识产权代理事务所(普通合伙) 42251 | 代理人: | 王力 |
地址: | 430200 湖北省武汉市东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 切割 方法 | ||
1.一种芯片的切割方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1:将基板的表面洗净,并在预先选定的切割区域贴满双面UV膜;
步骤2:将待切割芯片置于贴好双面UV膜的基板上,使得待切割芯片通过所述双面UV膜固定于所述基板上的切割区域内;
步骤3:将固定有待切割芯片的基板置于切割机工作台上,并沿着待切割芯片上的预先设置的切割辅助线对其进行切割至完全切断,形成多颗彼此独立的单颗芯片;
步骤4:将所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片从切割机工作台上取下,并洗净吹干;
步骤5:对所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片进行光照,使得双面UV膜失去粘性,并逐一取下切割后的单颗芯片;
所述步骤2中,将待切割芯片置于贴好双面UV膜的基板时,使得所述双面UV膜完全覆盖待切割芯片的下表面,所述双面UV膜采用50#PET UV 减粘胶保护膜;
在所述步骤5中,在进行光照的同时,将所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片置于老化箱中加热,使得双面UV膜融化,以便直接取下单颗芯片,加热温度范围为50-70℃,加热时间为0.5-2min。
2.根据权利要求1所述的芯片的切割方法,其特征在于,所述基板采用PVC材质制成。
3.根据权利要求2所述的芯片的切割方法,其特征在于,所述步骤1中,采用酒精将所述基板的表面洗净,并用无尘布擦干。
4.根据权利要求1所述的芯片的切割方法,其特征在于,所述步骤3中,对所述待切割芯片的切割深度大于或等于其厚度。
5.根据权利要求1所述的芯片的切割方法,其特征在于,所述步骤4中,将所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片置于清水中,并采用软毛刷刷洗干净后吹干。
6.根据权利要求1所述的芯片的切割方法,其特征在于,所述步骤5中, 光照的能量密度为100-800MJ/cm2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造