[发明专利]TFT基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在一衬底基板上沉积金属材料；

图形化所述金属材料以形成栅极；

在所述衬底基板上形成一栅极绝缘层，以覆盖图形化的栅极；

在所述栅极绝缘层上形成一有源层，且位于所述栅极的上方，所述有源层的材料包括氧化铟镓锌；在所述栅极绝缘层上形成一有源层的步骤中，采用N2和O2进行烘烤，烘烤的时间为60～150分钟，温度为200～400度；

在所述栅极绝缘层上依次层叠形成一第一金属层、一第二金属层和一第三金属层，其中所述第二金属层为镍或镍合金制成，所述第三金属层为铜材料制成，所述第一金属层和所述第二金属层作为刻蚀阻挡层，所述第三金属层作为金属膜层，在通过涂胶、曝光和刻蚀方式对第一金属层、第二金属层、第三金属层和有源层进行图形化处理的步骤中，采用铜酸对所述第一金属层、第三金属层进行刻蚀，采用通过H₂O₂系铜酸对所述第二金属层进行刻蚀；以及

通过涂胶、曝光和刻蚀方式对第一金属层、第二金属层、第三金属层和有源层进行图形化处理，以形成图形化的源极、漏极和有源层；在通过刻蚀方式对第一金属层进行图形化处理的步骤中，对位于源漏极间隔区中的部分第一金属层采用刻蚀气体进行干法刻蚀，所述刻蚀气体为NF3和O2的混合气体。

2.根据权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，在形成图形化的源极、漏极和有源层步骤之后，进一步包括：在图形化的源极、漏极、有源层和栅极绝缘层上形成一钝化层。

3.根据权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层上依次层叠形成一第一金属层、一第二金属层和一第三金属层的步骤中，所述第二金属层和第一金属层的厚度之和为10～50纳米。

4.根据权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，在通过涂胶、曝光和刻蚀方式对第一金属层、第二金属层、第三金属层和有源层进行图形化处理的步骤中，采用草酸对所述有源层进行刻蚀。