[发明专利]热场测量机构及校正方法在审
| 申请号： | 201910913689.X | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110592662A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民;王刚;郭鸿震;赵旭良 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热场 晶体生长 测量 坩埚轴 晶体生长装置 晶体生长状态 距离传感器 测量工装 测量机构 概率降低 光滑平整 晶体表面 径向距离 扭曲变形 对中性 晶体的 良率 热区 校正 对称 保证 | ||
1.一种热场测量机构，用于测量晶体生长装置中热场的对中性，其特征在于，包括：设置在晶体生长装置中坩埚轴上的测量平台、设置在所述测量平台上的测量工装及设置在所述测量工装上的距离传感器，所述测量工装设置在所述测量平台的任一位置，并提供所述距离传感器一测量高度。
2.根据权利要求1所述的热场测量机构，其特征在于，所述测量平台为一圆形平台。
3.根据权利要求2所述的热场测量机构，其特征在于，所述坩埚轴位于所述测量平台的中心。
4.根据权利要求1所述的热场测量机构，其特征在于，所述测量平台上设置有固定所述测量工装的固定位。
5.根据权利要求2所述的热场测量机构，其特征在于，所述测量工装固定在距离测量平台中心一定距离的位置上。
6.根据权利要求1所述的热场测量机构，其特征在于，所述距离传感器为激光测距仪。
7.根据权利要求1所述的热场测量机构，其特征在于，所述测量工装采用特氟龙材料制成。
8.根据权利要求1所述的热场测量机构，其特征在于，所述测量平台与所述坩埚轴衔接部分采用石墨材料制成。
9.一种热场校正方法，用于校正晶体生长装置中的热场，其特征在于，包括：
卸下晶体生长装置中与坩埚轴连接的坩埚；
在坩埚轴上安装如权利要求1-8中任一项所述的热场测量机构；
对晶体生长装置进行抽真空，并使晶体生长装置中的热场处于实际晶体生长的状态；
以坩埚轴为基准，测量热场各部件不同方位的径向距离；以及，
根据测量结果对热场进行调整。
10.根据权利要求9所述的热场校正方法，其特征在于，以坩埚系统中心为基准，测量热场各部件不同方位的径向距离，包括：
升降坩埚轴，使所述热场测量机构的距离传感器到达指定热场部件的位置；
调节坩埚轴的旋转角度，测量热场各部件与所述距离传感器之间的距离；
根据测量结果，计算热场中心的偏离量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910913689.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶体生长装置
- 下一篇：一种满足拉制多颗单晶的石英坩埚使用工艺
