[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，包括：

基底，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面，且具有第一开口及环绕该第一开口的第二开口，该第一开口与该第二开口隔开距离，且其中该基底包括感测装置，位于该基底内且邻近于该基底的该第一表面；

第一导电结构，包括：

第一导电部，位于该基底的该第一开口内；以及

第二导电部，位于该基底的该第二表面上方；

电性隔离结构，包括：

第一隔离部，位于该基底的该第二开口内，使该第一隔离部环绕该第一导电部；以及

第二隔离部，自该第一隔离部延伸于该基底的该第二表面与该第二导电部之间；以及

导电垫，与该第一导电部电性连接，

其中，该第二开口延伸至该导电垫且该导电垫的一部分自该第二开口的边缘横向突出。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，还包括：

钝化护层，覆盖该第二导电部及该第二隔离部；以及

第二导电结构，穿过该钝化护层而电性连接至该第二导电部。

3.根据权利要求2所述的晶片封装体，还包括：

盖板，设置于该基底的该第一表面上方；以及

间隔层，设置于该基底与该盖板之间，其中该钝化护层沿该基底边缘的侧壁表面延伸于该间隔层内。

4.根据权利要求2所述的晶片封装体，其中，该第一导电部顺应性覆盖该基底的该第一开口的侧壁及底部，且该钝化护层延伸于该第一开口内，而在该第一开口内的该第一导电部与该钝化护层之间形成空孔。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其中，该第一隔离部局部填入于该基底的该第二开口内，而在该第二开口底部与该第一隔离部之间形成空孔。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其中，该电性隔离结构包括氧化物或光致抗蚀剂材料。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其中，该第一导电部的一部分突出于该基底的该第二表面，使该第二隔离部局部位于该第二导电部与突出于该基底的该第二表面的该第一导电部的该部分之间。

8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其中，该第一导电部具有T型轮廓。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其中，该第二导电部自该第一导电部延伸，使该第二导电部与该第一导电部由同一导电材料层构成。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其中，该第二导电部连接至该第一导电部，且该第二导电部与该第一导电部由不同的导电材料层构成。

11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其中，该距离小于或等于该第一开口的宽度。

12.根据权利要求1所述的晶片封装体，还包括：

绝缘层，覆盖该基底的该第一表面，其中该导电垫位于该绝缘层内，且该第一导电部延伸于该绝缘层内而电性连接该导电垫。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体，其中，该第二开口延伸于该绝缘层内而露出该导电垫。