[发明专利]在IGBT芯片上集成温度传感器的方法在审
| 申请号： | 201910914289.0 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110620041A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业;邢军军;黄璇;张须坤;陈冲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265;H01L27/06 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 温度传感器 氧化层 多晶硅栅层 栅氧化层 接触孔 结温 刻蚀 半导体制造技术 集成温度传感器 精确监测 温度响应 预定区域 预设区域 硅衬底 去除 监测 覆盖 申请 制作 | ||
1.一种在IGBT芯片上集成温度传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：
在硅衬底上生成栅氧化层；
在所述栅氧化层上生成多晶硅栅层；
在所述多晶硅栅层上生成氧化层；
在所述氧化层上生成温度传感器poly层；
向所述温度传感器poly层中的预定深度注入硼离子，形成P型区；
刻蚀预设区域的温度传感器poly层，直到露出氧化层；
在所述P型区中形成N型区；
刻蚀去除所述N型区和所述P型区表面的温度传感器poly层、未被所述温度传感器poly层覆盖的氧化层、预定区域的多晶硅栅层；
同时制作温度传感器接触孔和IGBT接触孔，所述温度传感器接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔贯穿所述N型区，所述第二接触孔贯穿所述P型区，所述IGBT接触孔贯穿所述栅氧化层并与所述硅衬底连通。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述同时制作温度传感器接触孔和IGBT接触孔，包括：
淀积绝缘介质层；
同时制作所述温度传感器接触孔和所述IGBT接触孔。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述温度传感器poly层中的预定深度注入硼离子，形成P型区，包括：
向所述温度传感器poly层中的预定深度注入硼离子，并退火，形成所述P型区；
其中，所述硼离子的注入剂量为5E13～5E15离子/m3。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述P型区中形成N型区，包括：
向所述P型区中的预定区域注入砷离子或磷离子，并退火，形成所述N型区。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，离子的注入剂量为5E14～5E15离子/m3，扩散温度为900℃～1100℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅栅层的厚度为5000A～15000A。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为300A～1500A。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述温度传感器poly层的厚度为1500A～15000A。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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