[发明专利]相移型光掩模坯料和相移型光掩模

权利要求书

1.一种相移型光掩模坯料，包含衬底和其上的相移膜，所述相移膜由单层或多层组成，所述单层或多层包含选自由过渡金属、硅、氮和氧构成的层和由硅、氮和氧构成的层中的至少一层，其中，

对于波长为200nm以下的光，所述相移膜的相移为150°至250°，透射率为60％至80％，厚度为150nm以下，并且，

由过渡金属、硅、氮和氧构成的层的作为过渡金属与过渡金属和硅的总含量之比的含量(原子比)为0.03以下。

2.根据权利要求1所述的相移型光掩模坯料，其中，

所述相移膜包含由过渡金属、硅、氮和氧构成的层，并且

由过渡金属、硅、氮和氧构成的层的作为过渡金属与过渡金属和硅的总含量之比的含量(原子比)为0.001以上。

3.根据权利要求1所述的相移型光掩模坯料，其中，构成所述相移膜的每个层的氮和氧的总含量为50at％以上。

4.根据权利要求1所述的相移型光掩模坯料，其中，构成所述相移膜的每个层的氮含量为10at％以上，且在所述层中氮含量低于氧含量。

5.根据权利要求1所述的相移型光掩模坯料，其中，所述过渡金属包含钼。

6.根据权利要求1所述的相移型光掩模坯料，进一步包含在所述相移膜上的由单层或多层组成的第二层，所述第二层由含铬材料构成。

7.一种相移型光掩模，其通过使用权利要求1所述的相移型光掩模坯料制备。