[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910914457.6 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110620126A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 马富林;李超;杨健 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/18 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王玉玺 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 像素 光电二极管区域 图像传感器 接合 衬底晶片 逻辑晶片 第二面 减薄 面形 制造 | ||
1.一种用于制造图像传感器的方法，其特征在于，包括：
在像素晶片的第一面形成第一光电二极管区域；
将衬底晶片接合到所述像素晶片的所述第一面；
将所述像素晶片的与所述第一面相对的第二面进行减薄，从而形成所述像素晶片的第三面；
在所述像素晶片的所述第三面形成第二光电二极管区域，所述第二光电二极管区域与所述第一光电二极管区域彼此相结合；以及
将逻辑晶片接合到所述像素晶片的所述第三面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一光电二极管区域与所述第二光电二极管区域彼此之间能够进行载流子的扩散运动。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述像素晶片被减薄至预定厚度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述预定厚度≤8.0μm且＞4.0μm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在将所述逻辑晶片接合到所述像素晶片的所述第三面之后，将所述衬底晶片减薄至所述像素晶片的所述第一面，以暴露所述第一光电二极管区域。
6.根据权利要求3-5中任一项所述的方法，其特征在于，
所述减薄的方式包括化学机械研磨和蚀刻。
7.一种图像传感器，其特征在于，包括：
像素晶片，所述像素晶片的第一面形成有第一光电二极管区域，并且所述像素晶片的与所述第一面相对的第二面被减薄，从而形成所述像素晶片的第三面；
衬底晶片，所述衬底晶片被接合到所述像素晶片的所述第一面；以及
逻辑晶片，所述逻辑晶片被接合到所述像素晶片的所述第三面，其中，
所述像素晶片的所述第三面形成有第二光电二极管区域；以及
所述第二光电二极管区域与所述第一光电二极管区域彼此相结合。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，
所述第一光电二极管区域与所述第二光电二极管区域彼此之间能够进行载流子的扩散运动。
9.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，
减薄后的所述像素晶片具有预定厚度。
10.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，
所述预定厚度≤8.0μm且＞4.0μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
