[发明专利]RRAM阻变结构下电极的工艺方法

权利要求书

1.RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供形成RRAM阻变结构下电极的通孔结构；

步骤二、依次交替形成多个TiN层、Ti层以填充并覆盖所述通孔结构；所述每一层的Ti层的厚度小于与其相邻的所述TiN层的厚度，并且形成的所述相邻TiN层的晶格结构彼此不同；

步骤三、在交替形成的最顶层的所述Ti层上形成一层顶部TiN层；

步骤四、研磨所述顶部TiN层使其平整。

2.根据权利要求1所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤一中所述通孔结构包括通孔和其两侧的含碳氮化硅结构，所述通孔底部为金属铜，所述金属铜的两侧为超低介电常数材料。

3.根据权利要求1所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤二中是以沉积的方法依次交替形成所述多个TiN层、Ti层。

4.根据权利要求3所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤二中所述沉积方法为物理气相沉积法。

5.根据权利要求4所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：所述物理气相沉积法为PVD溅射平板工艺。

6.根据权利要求1所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤二中依次交替形成3至7个所述TiN层、Ti层。

7.根据权利要求6所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤二中依次交替形成3个所述TiN层、Ti层。

8.根据权利要求1所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤二中依次交替形成的所述多个TiN层、Ti层中，所述每一层TiN层的厚度为100埃；每一层Ti层的厚度为50埃。

9.根据权利要求4所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤二中通过控制物理气相沉积工艺中Ar与N2的流量比例形成所述晶格结构不同的相邻TiN层。

10.根据权利要求9所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤二中交替形成所述TiN层的工艺中，所述N2与N2和Ar之和的流量比例为30％至80％。

11.根据权利要求1所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤二中通过控制物理气相沉积工艺中的电源功率达到形成所述晶格结构不同的相邻TiN层。

12.根据权利要求11所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤二的物理气相沉积工艺中的电源功率为1000W至12000W。

13.根据权利要求1所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤三中形成的所述顶部TiN层的厚度为100埃。

14.根据权利要求1所述的RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于：步骤四中采用化学机械研磨使所述顶部TiN层平整。