[发明专利]背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构有效
申请号: | 201910914910.3 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN110634899B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 李葆轩;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦健 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 光电子 隔离 层网栅 辅助 图形 结构 | ||
1.种背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,针对图像传感器的深槽隔离网栅结构,在其内部增加辅助图形,其特征在于:
所述的辅助图形为封闭的结构,包含两组相对平行的线段,两组相对平行的线段共形成四个交叉区域,以合围形成口字型,所述的每组相对平行的线段均包含中间粗两端细的线段,构成相邻的边的线段,其两端较细的部分相互交叉,围成封闭的口字型。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,其特征在于:所述的深槽隔离网栅结构,为封闭的矩形结构,其每边的宽度为130nm,整个结构总宽度为1um。
3.如权利要求1所述的背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,其特征在于:所述的辅助图形,其每组对边中,较宽的部分线段的宽度为70nm,交叉的较细的部分线段宽度为40nm,交叉的位置是保证较粗的线段的距离不小于60nm;每组线段的端点与深槽隔离结构的间距为140nm。
4.如权利要求1所述的背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,其特征在于:所述的中间粗两端细的线段所形成的封闭结构,起到延长辅助图形线段长度的作用,交叉区域较细的线段能增大交叉区域相邻线段间的间距,能避免交叉区域次级辅助图形显像的情况发生。
5.如权利要求1所述的背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,其特征在于:所述的辅助图形能增大交叉区域的工艺窗口。
6.一种背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,针对图像传感器的深槽隔离网栅结构,在其内部增加辅助图形,其特征在于:
所述的辅助图形为封闭的结构,包含主体部分及四个顶角部分;所述主体呈口子型,且口字型主体形成的四个顶角又由四个小口字型组成,位于四个顶角的四个小口字型形成半包围结构,分别与主体的相邻两边相接,形成一个整体的封闭结构;
所述的四个顶角向外延伸凸出,超出主体部分延伸形成的封闭区域范围;
所述的主体部分的四条边宽度相等,所述位于四个顶角的四个小口字型的边宽度相等,且四个小口字型的边的宽度小于主体部分的边的宽度。
7.如权利要求6所述的背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,其特征在于:所述的深槽隔离网栅结构,为封闭的矩形结构,其每边的宽度为130nm,整个结构总宽度为1um。
8.如权利要求6所述的背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,其特征在于:所述的辅助图形,其形成主体部分的较宽的线段的宽度为70nm,形成四个顶角的小口字型的较细的线段宽度为40nm,主体部分相邻线段间的最小距离不小于60nm;顶角小口字型与深槽隔离结构的间距为140nm。
9.如权利要求6所述的背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,其特征在于:向外延伸凸出的所述的四个顶角,使四个顶角与深槽隔离网栅结构的间距与主体部分与深槽隔离网栅结构的间距接近或相等。
10.如权利要求9所述的背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,其特征在于:向外延伸凸出的所述的四个顶角,能增加辅助图形的有效长度,且能优化拐角区域的工艺窗口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的