[发明专利]遮蔽环位置监测方法及其监测系统

权利要求书

1.一种遮蔽环位置监测方法，用于半导体生产的先进图形薄膜制程，其特征在于，包括以下步骤：

S1,建立用于标记晶圆缺口位置的直角坐标系；

S2,标记晶圆缺口在所述直角坐标系中的坐标范围；

S3，沉积薄膜；

S4，在晶圆缺口坐标范围内测量薄膜厚度；

S5，若晶圆缺口坐标范围内薄膜厚度小于等于判断阈值，则判断遮蔽环位置准确；若晶圆缺口坐标范围内薄膜厚度大于判断阈值，则判断遮蔽环位置不准确，进行遮蔽环位置校准。

2.如权利要求1所述的遮蔽环位置监测方法，其特征在于：

实施步骤S1时，该直角坐标系的X轴位于晶圆顶面所处平面，该直角坐标系的Y轴垂直于晶圆顶面所处平面，该直角坐标系原点位于晶圆顶面除晶圆缺口位置外的任意一点。

3.如权利要求1所述的遮蔽环位置监测方法，其特征在于：

实施步骤S4,在晶圆缺口坐标范围内选取监测点，测量监测点的薄膜厚度。

4.如权利要求3所述的遮蔽环位置监测方法，其特征在于：

实施步骤S4,选取监测点位于晶圆缺口处的晶圆边缘圆弧上。

5.如权利要求4所述的遮蔽环位置监测方法，其特征在于：

实施步骤S4,选取位于晶圆缺口处晶圆边缘圆弧上的多个点作为监测点，所述多个点至少包括A点和B点,A点和B点位于晶圆缺口处晶圆边缘圆弧中点两侧，A点和B点与晶圆缺口处晶圆边缘圆弧中点之间弧长相等。

6.如权利要求5所述的遮蔽环位置监测方法，其特征在于：A点和B点与晶圆缺口处晶圆边缘圆弧中点之间弧长大于等于2.5mm。

7.如权利要求4所述的遮蔽环位置监测方法，其特征在于：

实施步骤S4,选取晶圆缺口处晶圆边缘圆弧的两个端点作为监测点。

8.如权利要求1所述的遮蔽环位置监测方法，其特征在于：实施步骤S5时，判断阈值为0-50埃。

9.一种遮蔽环位置监测系统，用于半导体生产的先进图形薄膜制程，其特征在于，包括：

坐标系建立模块，其用于建立标记晶圆缺口位置的直角坐标系；

晶圆缺口标记模块，其用于标记晶圆缺口在所述直角坐标系中的坐标范围；

薄膜厚度测量模块，其用于测量生产工艺中淀积薄膜的厚度；

监测点选取模块，其用于选取遮蔽环位置监测点；

判断模块，其根据晶圆缺口坐标范围内出现薄膜厚度判断遮蔽环位置是否准确。

10.如权利要求9所述的遮蔽环位置监测系统，其特征在于：

所述直角坐标系的X轴位于晶圆顶面所处平面，该直角坐标系的Y轴垂直于晶圆顶面所处平面，该直角坐标系原点位于晶圆顶面除晶圆缺口位置外的任意一点。

11.如权利要求9所述的遮蔽环位置监测系统，其特征在于：判断模块采用以下方式判断遮蔽环位置是否准确；

若晶圆缺口坐标范围内薄膜厚度等于零，则判断遮蔽环位置准确；若晶圆缺口坐标范围内薄膜厚度大于零，则判断遮蔽环位置不准确，进行遮蔽环位置校准。

12.如权利要求9所述的遮蔽环位置监测系统，其特征在于：

监测点选取模块，在晶圆缺口坐标范围内选取监测点，测量监测点的薄膜厚度。

13.如权利要求12所述的遮蔽环位置监测系统，其特征在于：

监测点选取模块，选取监测点位于晶圆缺口处的晶圆边缘圆弧上。

14.如权利要求12所述的遮蔽环位置监测系统，其特征在于：

监测点选取模块，选取晶圆缺口处晶圆边缘圆弧的两个端点作为监测点。