[发明专利]混合导体、包括其的电化学装置和制备混合导体的方法

权利要求书

1.由式1表示的混合离子和电子导体：

式1

T_xVa_yA_1-x-yM_zO_3-δ

其中，在式1中，

T包括至少一种单价阳离子，

A包括单价阳离子、二价阳离子、和三价阳离子的至少一种，

M包括三价阳离子、四价阳离子、和五价阳离子的至少一种，并且为不同于Ti和Zr的元素，

Va为空位，

δ为氧空位，

0x0.3，y≤0.25，0z≤1，且0≤δ≤1，

T和A彼此不同。

2.如权利要求1所述的混合导体，其中，在式1中，T包括至少一种单价碱金属阳离子。

3.如权利要求1所述的混合导体，其中，在式1中，M包括第一阳离子和第二阳离子，和其中所述第一阳离子的氧化态不同于所述第二阳离子的氧化态。

4.如权利要求1所述的混合导体，其中，在式1中，M包括至少一种五价阳离子。

5.如权利要求1所述的混合导体，其中，在式1中，T包括Li、Na、和K的至少一种。

6.如权利要求1所述的混合导体，其中，在式1中，A包括如下的至少一种：H、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Tm、Yb、Lu、Er、和Eu。

7.如权利要求1所述的混合导体，其中，在式1中，M包括如下的至少一种：Ni、Pd、Pb、Fe、Ir、Co、Rh、Mn、Cr、Ru、Re、Sn、V、Ge、W、Sc、Nb、Ta、和Mo。

8.如权利要求1所述的混合导体，其中δ为0。

9.如权利要求1所述的混合导体，其中由式1表示的混合导体由式2表示：

式2

T_xVa_yA_1-x-yM'_zM_1-zO_3-δ

其中在式2中，

T包括至少一种单价阳离子，

A包括单价阳离子、二价阳离子、和三价阳离子的至少一种，

M'和M各自独立地包括三价阳离子、四价阳离子、和五价阳离子的至少一种，

M'和M各自独立地为不同于Ti和Zr的元素,

Va为空位，

δ为氧空位，

0x，y≤0.25，0z1，且0≤δ≤1。

10.如权利要求9所述的混合导体，其中M'具有2.9电子伏或更小的的氧空位形成能量值。

11.如权利要求9所述的混合导体，其中M'包括三价阳离子和四价阳离子的至少一种，和

M包括至少一种五价阳离子。

12.如权利要求1所述的混合导体，其中所述混合导体的电子传导率大于所述混合导体的离子传导率。

13.如权利要求1所述的混合导体，其中在25℃下所述混合导体的电子传导率为4 x 10^-9S/cm或更大。

14.如权利要求1所述的混合导体，其中在25℃下所述混合导体的离子传导率为1 x 10^-6S/cm或更大。

15.如权利要求1所述的混合导体，其中所述混合导体具有拥有钙钛矿型晶体结构的相。